[参考译文] UCC28780：UCC28780引导问题

Alex、您好！

感谢您关注 UCC28780 ACF 控制器。

您提供的原理图模糊、难以读取许多参数。
但是、输出状态为5V/10A、次级绕组与辅助绕组的匝数比为2：4、这会在初级侧的 VDD_pri 轨上施加~10V 的电压。

该电压不足以维持运行。
我建议采用1：3比率、以在 VDD_pri 上获得至少15V 的电压。

我建议您使用 UCC28780 Excel 设计工具计算此设计以及5V/20A 设计的参数。 https://www.ti.com/lit/zip/sluc664
该工具提供电感和匝数比、但无法为每个绕组提供实际匝数、因为这取决于您选择的磁芯尺寸。
大多数设计人员根据其特定的封装要求选择磁芯形状和尺寸、因此我们无法预测  该工具中的所有各种选择。

 由于原理图显示了初级侧的硅 MOSFET、我建议使用 UCC24612-2 SR 控制器、该控制器具有更适合 Si 功率级的时序。  原理图似乎列出了更适合基于 GaN 的功率级的 UCC24612-1器件。  

此致、
Ulrich

Alex、您好！

如有可能、请以 PDF 格式将原理图发送至 ulrich_goerke@ti.com

此外、请包含完整的 UCC28780 Excel 设计工具、以便我可以查看您的设计目标。

此致、
Ulrich

尊敬的 Alex：

Ulrich 指出 ，变压器辅助绕组的匝数 不足以使 VDD 电压高于10V VDD_OFF。 您遇到的问题是在原始变压器上进行测试，还是更改了匝数比？

BTW：对于5V/10A 输出、NPSA =16：2：4和16：1：3 都不是一个好选择、我建议您从 32：2：6开始。  

有一个应用手册可以帮助您调试启动问题，如果出现其他保护，请按照来检查电路板上发生的情况。

谢谢

您好、Johnny、

您遇到的启动问题来自过压保护(OVP)关断。 这种类型的故障将在大约1.5秒的延迟后自动重试、如第一个屏幕截图中所示。

增大的 VS 峰值电压表示 OVP 达到4.5V OVP 阈值。
启动 OVP 的原因是开环反馈路径。

仅更改变压器和 R24和 R26不足以使修订的 EVM 正常工作。
ATL431偏置组件的尺寸适用于20V 输出、当仅在5V 电压下运行时、这些组件不能为并联稳压器提供足够的电流。

具体而言、还需要降低 R11和 R13以提供足够的电流来运行并联稳压器 U2和光耦合器 U1。 快速估算的方法是将其值除以因子4：因此 R13变为~8.2K、R11变为~2.7K。

这应该解决静态偏置和调节问题、但 C22 R8、C27、C28和 R27的动态补偿值也需要根据新的调节电平和瞬态响应进行调整。 这些并不是很容易估算、因此我建议使用 Excel 设计工具来确定建议值。  

您的原理图与 EVM 的原理图非常匹配、但您使用的工具副本的值与电路板上的值不同。 此外、一些用户选择的值与建议值相差很远。

例如、该工具建议电流感测电阻为0.18 Ω、而电路板显示0.227R (R18-21)。 较高的 R 值将阻止您实现全功率。

SR 控制器 U3可从5V 输出进行偏置、但对于所涉及的高输出电流、栅极驱动将不会很强、SR FET 将不会像您预期的那样高效。 如果未使用辅助绕组、UCC24612数据表的图15显示了另一种偏置方法、以实现更强大的栅极驱动。

注意：在上面显示的波形中、CH2为 PWMH、而不是 PWML。

此致、
Ulrich

 您好、Johnny、

完全填充 Excel 计算器工具后、工具会生成 C22、R8和 C28值(Cdiff、Rdiff 和 CInt)。
R27此时未编程。  我建议将其保持 为零(0r)、直到实现正常开关操作、然后稍后再进行微调。
我想您现在可以保持 C27 = 3.3pF、并在实现正常运行后稍后进行微调。

此致、

Ulrich

您好、Johnny、

从绿色波形(VSW)可以看出、高侧 MOSFET (Q3？) 导通时间过长、并允许钳位电容器中的所有电荷振铃。  请检查 PWMH 信号。  如果该电阻器的电压大约 为100us、则检查 RDM 电阻器的值。  这可能不正确。

此致、
Ulrich    

您好、Johnny、

UCC28780控制器感测 VS 输入端 AUX 波形的 dv/dt、以确定 PWML 和 PWMH 信号的时序。  
通常情况下、VS 引脚上不应引入任何电容、因为接地的电容会减慢 dv/dt 并使时序失真。

在您的情况下、添加示波器探头会增加 GND 的电容并改善运行。  这向我表明、从 VS 到 VAUX (在上部 VS 分压电阻器上)的电容过高。  向 GND 添加一些电容往往会抵消上电容。  

我建议在 VS 和 GND 之间放置一个小型 SMD 电容器、可能为2~3pF、并查看运行是否变得更加稳定。 如果效果更好一点、则添加更多的电容器。
如今、典型的探头 具有大约8~12pF 的电容、这是一个很大的问题。  我不建议在 VS 中添加这么多、但您确实得到了探头的改进、因此不能忽略它。

如果几个 pF 电容接地可以解决稳定性问题、则继续进一步调试原型。  但是、我建议重新布局 PCB、以最大限度地减小 VS 上的所有电容。 请严格遵循数据表中的 PCB 布局指南和建议。  不仅对于 VS、对于其他引脚也是如此。    

此致、
Ulrich