[参考译文] TPS54232：当改变二极管时、输入电流消耗变得更高

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/932633/tps54232-input-current-consumption-becomes-higher-when-changing-diode

器件型号：TPS54232

您好！

我们想知道、当我们将 D25从 ES1G_YJ 更改为 FR1G 时、输入电流消耗增加30mA 是否正确？

如果是、为什么？

如果不是、可能会导致此问题的原因是什么？

谢谢你。

e2e.ti.com/.../FR1G.pdfe2e.ti.com/.../ES1G_5F00_YJ_2800_1_2900_.pdf

此致、

Cindy

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1144270 points

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Cindy 您好、

这对我来说是有道理的。我相信、您看到的电流增加是由于两个二极管的反向恢复时间不同。 ES1G 的最大指定反向恢复时间为35ns、而 FR1G 的最大反向恢复时间为150ns。

占空比可近似为 D = Vout/Vin = 3.3/15 = 0.22。对于1MHz 的开关频率、每个周期为 T= 1/Fsw = 1us。因此、二极管的阻隔时间应约为0.22*1us = 220ns /周期、并且每周期导通时间约为780ns。

如您所见、150ns 反向恢复时间在二极管应阻断的时间中占很大一部分。如果您可以获得 SPICE 模型、我建议对其进行仿真、以确认情况是否如此。更好的方法是、如果您能够测量示波器上的二极管电流、以验证是否确实发生了这种情况。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1144270 points

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Cindy 您好、

我刚刚意识到图像无法发布。请参阅随附的。

0 admin 3 年多前

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Cindy 您好、

当您说输入电流消耗高30mA 时、负载电流会压缩什么？不同的二极管具有不同的 Vf、因此可以合理地稍微改变效率/输入电流。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1144270 points

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张信德

通过查看您共享的两个数据表、设备之间唯一显著的区别似乎是报告的 ES1G 反向恢复时间为35ns、FR1G 的反向恢复时间小于150ns、如 Kevin Bradford 所述。 FR1G 的额外反向恢复时间可能会导致输入电流增加。

将400V 反向额定二极管与28V 额定开关配合使用是否有具体原因？

与电压较低的1A 二极管相比、这些二极管具有更高的电容、正向压降和反向恢复时间、这将提供比 FR1G 或 ES1G 更高的效率和更低的成本。例如、SS14-LTP 是40V 1A 肖特基势垒二极管。与 FR1G 和 ES1G 上的1.3V 和 52pF 结电容相比、该器件具有500mV @ 1A 的正向压降、并且采用相同的 DO-214AC 封装。

https://www.mccsemi.com/pdf/Products/SS12E-SS110E(SMAE).PDF

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1144270 points

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Cindy 您好、

对此进行了任何更新？如果您的问题已得到解决、我们将关闭此主题。谢谢！

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