主题中讨论的其他器件:BQ77905
大家好、我正在设计10S BMS、想要包含5A 的限流器电路、如果我可以使用 CHG/DSG NMOS 或必须连接单独的 NMOS、请为我提供指导?
在何处连接分流电阻以及如何为栅极供电?
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大家好、感谢您的快速回复、
请检查我的前言。 问题再次、充电电流和放电电流均由 OCD1和 OCC 通过测量 Rsns 两端的电压进行控制。
我正在使用7791501、对于该器件、OCD1固定阈值为35mV、OCC 固定阈值为20mV。
我计算出的充电电流5A 的 Rsns 值为4m Ω、如果使用 4m Ω 作为 Rsns 电阻、则放电电流受 OCD1限制在8.75A、但我们需要大约20A、这是我面临的问题...
反之亦然(如果我根据20A 的放电电流调节 Rsns 值(1.75m Ω)、则该 Rsns 值不适合用于限制5A 的充电电流、因为1.75m Ω 的 Rsns 值可提供11.43A 的充电 FET 截止值。
1. 上述问题的解决方案是什么?
2.我们可以更改阈值吗?
我们可以禁用 OCD1吗?
4.我们可以通过控制 CTRC 引脚来控制充电电流吗?
5.在我设计具有两个7791501 IC 的10S BMS 时,我们是否可以使用上部器件控制充电电流?
您好!
我尚未完成我们每一种配置的计算、但 BQ7791501版本似乎无法满足此要求。 您必须仔细检查我们的器件并计算 OCD 和 OCC 所需的 Rsns 值。 如果其中一种配置导致两种保护的 Rsns 值相同、则应满足您的要求。 如果不需要电池平衡、您也可以查看我们的 BQ77905配置。
在大多数情况下、您必须选择一个电流故障具有更高的优先级、并根据该值确定 Rsns 值。
我们确实会进行自定义编程配置、但存在最低的业务案例。 如果您希望继续使用该选项、请联系您的 TI 销售代表。