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器件型号：LM5066 主题中讨论的其他器件： CSD19536KTT
大家好、
我的客户对 LM5066有一些问题：
(1)能否为 LM5066使用并联 MOSFET？ 在我们的系统中、该单元持续以大约50A 的电流工作。 如果我使用单个 MOSFET、热耗散可能是一个问题。 将 MOSFET 加倍基本上会将每个 MOSFET 的功率减半。 我了解电流/功率限制期间的不平衡、但是、如果我基于单个 MOSFET 计算瞬态、应该 可以使用两个？
(2)由于栅极电容加倍、因此使 MOSFET 加倍基本上会减慢栅极上升速度。 您是否有建议的栅极电容限值、或者只要我们不需要栅极快速上升、该限值就可以正常工作？
(3)我们的系统基于40-54V、峰值为3600W。 我计划使用0.5欧姆的感应电阻器。 如果感应电阻器如此小、是否会出现问题？
(4)对于 MOSFET、您是否有针对此类高电压/电流宽 SOA MOSFET 的任何建议？
谢谢、
Mitchell
