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[参考译文] UCC28780:ucc28780

Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28780, UCC24612, ISO7710

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/929285/ucc28780-ucc28780

器件型号:UCC28780
主题中讨论的其他器件:TIDA-01622UCC24612ISO7710

请参阅 TIDA-01622文档。

由于对 SMD 外露 GaN 器件的回流组装有疑问、我们必须采用不同的方法来验证是否所有连接均已焊接。 这涉及到依次从 外部源在 PWMH 和 PWML 上施加脉冲。 我们移除了控制器、高压侧的偏置(通过耗尽型 MOSFET 和电阻器到 SWS 引脚)-两个都在控制器未启动时熔断(出于许多原因、我们的 PCB 是第一个 PCB)。

 我们几乎要重新安装偏置电路-没有控制器。 但我认为这不会起作用。 下面我想:具有钳位齐纳二极管的耗尽型 MOSFET+电阻器仅在安装 UCC28780时才能安全工作、因为在正确的启动模式下、控制器关闭 CPC3909、从而防止高电流流经电阻器和钳位。 因此、如果控制器未正确运行、我们将会熔断 MOSFET 和电阻器、对吧?

那么、问题是:我们如何测试装配体以验证所有器件的值是否正确、从而保证 UCC28780能够正确启动?

是否有办法从 UCC28780的开环中获取脉冲?

Robin

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    您好 Robin、

    感谢您为您的设计选择 UCC28780 ACF 控制器。

    很遗憾、我听到开环测试期间出现 CPC3909故障。  通常、UCC28780通过操纵其栅极电压来保持对开关节点感应 FET (我们称之为 Qs)的控制。 首先、它允许 VG 跟随 Vs、VDD 充电阶段达到~17.5V。  然后将其下拉至11V、以针对 ZVS 条件执行开关节点电压检测。

    如果控制器未就位、则 Vgs 为 Qs = 0V、在施加大容量电压时没有任何可控制的内容。  QS 按预期自然导通、电流会快速为 SWS 电容 C38充电。  根据 TIDA-01622设计、 SWS 上有一个20V 齐纳钳 位、其与 PGND 之间的栅极上有一个24V TVS。 由于没有任何方法将 Q 的 Vgs 拉低以将其关闭、因此 Q 会传导到其正常的0偏置导通电流、至少为300mA、受外部条件限制。

    CPC3909是一款400V 器件、因此我假设峰值开关节点电压低于该电压。 假设 OV 未损坏 Qs、可以得出结论:大电流主要受121R SWS 电阻器 R35的限制、而测试期间的大电压会使 QS 过热并将其吹散。 可能是短路、过热的 R35也会烧坏。 例如、如果 Vbulk = 100V、则在 R35中为300mA 进入121R = 36V = 11W、在 Qs 中为13.2W。

    您的设计中 Rsws 的额定功率将决定其可应对的最大稳态电压、从而确定流经它的最大电流。 由于 CPC3909在打开时仅为6R、因此它不限制电流。

    为了在本例中进行开环测试、我建议仅对大容量轨施加电压、该电压仅比 SWS 齐纳电压高几伏、以匹配 Rsws 的额定功率。 然后验证是否从大容量电流源获取了正确的电流。 例如、(~23V-20V)/121R =~25mA、这将确认 Q、Rsws 和齐纳二极管的导通。 齐纳二极管中的功率为0.5W、因此也要缩短测试时间。 这是我可以想到的最简单的方法、而无需采用电路内探测。

    我忘了说、遗憾的是、在开环模式下从 UCC28780获取 PWM 没有简单的方法。  它需要  在 VS 和 CS 输入端具有特定时序边沿的开关信号。 您几乎必须仿真通常的信号。  

    此致、
    Ulrich

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    Ulrich

    Thnx 表示对该主题的详细处理-感谢。

    所以、我们设置了一个外部脉冲(GUES、它 来自 PicoScope 示波器的 AWG 端口、但需要 UCC27xx 获得0至5V 信号)-并成功验证了较低的 GaN (NV6117)和较高的 GaN。

    我们在次级侧有 EPC2034 GaN 作为 SR -它也由 UCC24612驱动、转变为我们所期望的兴奋和整流。所有这些仍处于开环中且由脉冲激发。

    现在、我们将安装控制器-并面临两难的处境:不要希望它启动时一切正常(在此仍然适用墨菲定律)。 但是、如何在没有 CPC3909耗尽型 MOSFET 的情况下快速启动它?

    如果我们施加了外部 VCC 并且仍然通过光耦合器处于闭环状态、控制器能否运行? 我们不会安装耗尽并验证所有电压。 电流和输出正常、SWS HVG 正常发生。 然后、作为最后一步、让它从 MOSFET 开始。

    会发生这种情况吗?

    -robin

    PS:BTW、非常感谢您在 SLUC664 REVC 中获得了随直流输入发布的 UCC28780的 XL 电子表格计算。 这是一个很好的帮助。 我们确实获得了一些参数的预期正确值。  

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    您好 Robin、

    我不确定、但我认为它可以像您所描述的那样"起作用"。  在工作中、我的意思 是、如果您可以将 VDD 提高到17.5V、那么您应该能够生成 PWML 和 PWMH 输出。  但是所有其他组件必须已经到位、 因此只保留 CPC3909可以获得多少收益?

    如果没有 SWS 信号、PWML 将由内部超时信号触发、PWMH 调谐器将延长 PWMH 导通时间、尝试在 SWS 获取信号、因此实际开关电流和电压 将与预期的 ACF 信号发生失真。 要获得 PWMH、您必须处于至少达到 ABM 的功率水平、因此我担心不良波形可能会在某个地方引起过载。  

    因此、尽管从测试角度来看、它可能看起来是"正常工作"、但它可能会产生一些不可预测的后果。  为了避免这种情况、您必须仿真 PWM 信号的 VS、CS 和 SWS 输入端的波形、而无需实际驱动带电 MOSFET。 要避免墨菲的诱惑、有很多麻烦、但最后、您仍然必须 带着信心飞跃、并在控制器到位后将其打开、即使您已经完成了所有预测试、他仍然会造成麻烦。 。  

    我可以说、我们的充电器/适配器客户每天都在进行每项设备测试时实现这一飞跃、因为他们不能花时间单独证明每个小节。  他们只为之而去。  如果有测试失败、我们会 听到它、但(在设计错误被排除后) 没有。

    因此、我建议、如果您已经以开环方式验证了大多数电路、则同时安装控制器和 CPC3909并"为之而去"。
    我所做的是从3Vrms 开始。  没有烟?。。 在 VSW 上触发时、转到10Vrms、然后转到20V、再转到50V。   此时、您应该会在 VSW 波形中看到一些测试脉冲。 在达到编程的"欠压"电平之前、它不应启动、但3个测试脉冲应让您有信心持续增加、直到它运行。  如果 您将 Vac 增加到比预期的欠压水平高10~20%以上、并且尚未尝试超过3次脉冲、则请检查 VS 欠压设置。  

    祝你好运、

    Ulrich

     

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    Ulrich

    非常感谢这一准确的解释、并继续-获取 IT 建议、但仍需逐步完成

    今天就要去!

    让游戏开始。

    储罐很多。

    Robin

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    Ulrich:

    因此、我们可以全速安装所有部件...

    但是!

    我们的都是 GaN。

    请参阅随附的使用 NV6115/6117的 TI 文档(不知道上部的6115...it 为什么具有更高的 RDS ...除此之外 、它与6117完全一样)

    本文档使用 NV6117 VDD 输出对上部隔离器和升压电容器进行偏置。

    Vdd 仅为6V,最高可提供3mA,而且不能使用齐纳二极管... 下降仍然不确定...但对于评估来说肯定还可以。

    我不知道该电路中是否能保证启动。

    请参阅随附的 PPT 以了解我们的方案。 使用了硬偏置源、但我想知道启动的原因有多种。  

    基本差异是

    -我们使用 TPS7A2450DBVR 来启动 ISO7710芯片的偏置并保持辅助绕组生成的电压、从而保证5V 的稳态电压运行。

    -我们仅将 NV6117 VDD 用于下部隔离器  

    辅助输出为低6117供电、因为它可以处理高达30V 左右的电压。

    因此、问题在于辅助设备从前3个脉冲启动时的 LDO 行为、这会为 PWML 的控制器侧供电。 可以用吗?

    您是否在我们的电路中看到其他启动问题?e2e.ti.com/.../tidrvm3b28780scheval_5F00_DIODES.pdfe2e.ti.com/.../ucc28780startup_5F00_gnmr.pptx

    我们当然计划在 HV 的步骤中...最后从 chimney....in 上寻找白烟...

    -robin

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    尊敬的 Robin:

    这与我刚才回答的另一篇文章相同:

    那么、我将关闭这个。

    此致、
    Ulrich