主题中讨论的其他器件:CSD19536KCS、 BQ76PL455A
先生,您好:
我们有三个问题需要您的帮助。
1.如果客户在放电 MOSFET 中使用了4个具有并行模式的 CSD19536KCS、并且 Rg 在每个 MOSFET 上使用了100欧姆电阻。
请告诉我们关闭时间是多少?
或者、请告知我们高侧栅极驱动器的灌电流容量。
3.您对 REG1和 REG2的额外输出电流是否有建议?
客户想知道、BQ76PL455A 的 NPN LDO 就是这样的。
祝你一切顺利
Statham
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先生,您好:
我们有三个问题需要您的帮助。
1.如果客户在放电 MOSFET 中使用了4个具有并行模式的 CSD19536KCS、并且 Rg 在每个 MOSFET 上使用了100欧姆电阻。
请告诉我们关闭时间是多少?
或者、请告知我们高侧栅极驱动器的灌电流容量。
3.您对 REG1和 REG2的额外输出电流是否有建议?
客户想知道、BQ76PL455A 的 NPN LDO 就是这样的。
祝你一切顺利
Statham
您好、Statham、
数据表作者希望用户根据下降时间规格计算有效下拉、然后将其应用于特定测试条件。 CSD19536KCS 具有大约9.3nF 的 Ciss、因此2大约为20nF 的测试电容。 2个额外的器件会使电容和开关时间加倍。
DSG 关断脉冲快速低于 LD 电平、从而允许使用根据 FET 电容和串联电阻调整关断时间。 数据表中目前未包含任何公式。
没有为 REG1和 REG2稳压器提供增加电流的方法。 REGIN 仅用于内部稳压器的电源。 REG1和 REG2是内部稳压器、其架构与 BQ76PL455A 不同。