[参考译文] UCC27201：打开高侧 MOSFET 时出现问题

您好、Anmol、

感谢您的参与！ 为了使高侧 MOSFET 导通、您必须在低侧和高侧 MOSFET 之间经历一个完整的开关周期、以便自举电路能够正确充电和放电。 这意味着您将无法分别验证高侧和低侧的运行情况。

我在文章中添加了一个链接、该文章讨论了自举电路选择： 链接

本文的第2节讨论了自举电路的操作、并包含有助于说明自举充电和放电路径的图像。

希望这有助于回答您的问题！ 如果您在验证高侧 MOSFET 的运行时仍然遇到问题、请随时联系我们。

最棒的

Alex Weaver

您好、Anmol、

Alex Weaver 今天离开了、所以我将在平均时间内回复。

VBUS 上有什么东西吗？ 在这种情况下、HS/PHASE 节点悬空、因此较小的泄漏电流会移动电压。 例如、构成半桥的两个 FET 将具有特定的泄漏电流、因此会形成一个分压器(如果 VBUS 为12V、则 IE 在 HS 上预计约为6V)。 驱动器本身也有一些微小的泄漏、自举路径也会导致节点悬空。

类似地、有一条通过高侧下拉 FET 体二极管的路径、如果 HS 较高、该路径将使 HO 大致匹配 HS。 这可能是您在 HO 上看到相同电压的原因。 在任何情况下、HO 和 HS 浮动到相同的电压、这意味着 FET 上的 Vgs 接近于零、因此不会导通。  

由于 Vgs 平衡为零、因此浮动电压通常是无害的。 如果您想摆脱这种情况、从 HS 到 GND 的下拉电阻(10-100K)可以消除这种情况。  

如果您有任何疑问、请告诉我。

谢谢、

Alex M.

您好、Anmol、

以下是我的意思、很抱歉、您的粗略图：

在驱动器内部、有一条来自下拉 FET 体二极管的二极管路径。 如果 HS 高于 HO、则应导通、直至差值对于二极管而言过小。  

在正常运行中、只要驱动器打开低侧 FET、HS 节点就会被拉至接地。 发生这种情况时、HB-HS 电容器通过二极管从 VDD (12V)充电。 自举电容器最终将充电至大约 VDD (12V)、当低侧关闭而高侧打开时、在这种情况下 HS 将上升至50V、但 HB-HS 仍将为12V、因此 HB-GND 电压将为62V。 HS 电压将为50V、因此高侧 FET 的 VGS 将为12V。

该电路需要偶尔切换低侧 FET、以便为自举电容器充电。 这会导致您在直流测试中看到奇怪的行为。 您在 HS 和 HO 上看到的确切电压可能来自驱动器中的各种泄漏电流。 例如、HB 引脚的电流消耗可为高侧的各种电路供电、如电平转换器。 我认为您不能使用分压器的原因、因为电容器实际上不是串联的(当 HO 变为高电平时、它们是并联的)。  

有多种方法可实现100%占空比或直流运行、但您无法使用自举电路实现这一目的。  

谢谢、

Alex M.