您好!
我想检查是否降低开关频率有助于在 PFM 模式下提高效率?
当2.2MHz 降至800kHz 时、我使用 webench 仿真显示出3-5%的改进。
但我调节 EVM 设计并测量实际效率没有任何帮助。
似乎没有帮助、因为它不处于 PWM 模式?
或者我错过了什么?
谢谢!
Jeff
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尊敬的 David:
我已经使用 LMQ66430 EVM 板更改了一些适用于客户应用的设计。 但似乎无法达到90%的目标效率
将 IC 更改为 LMQ66430R5RXBR、Rt = 39.2k (400kHz)、L1 = 10uH、Rfbt = 34.8k、 Rfbb = 10k。
测量效率~= 86.7%、(输入电压= 20.27V、输入电流= 7.46mA、输出电压= 4.48V、输出电流= 29.23mA)
e2e.ti.com/.../LMQ66430-400khz.pdf
2.将 IC 更改为 LMQ664330R5RXBR、Rt = 19.6k (800kHz)、L1 = 3.3uH、Rfbt = 34.8k、 Rfbb = 10k。
测量效率~= 86.5%、(输入电压= 20.27V、输入电流= 7.3mA、输出电压= 4.48V、输出电流= 28.6mA)
e2e.ti.com/.../LMQ66430-800khz.pdf
改变开关频率似乎无法提高效率、因为两者都处于 PFM 模式?
但是、请参阅数据表类似的条件应实现~90%的效率。
我错过了什么吗? 或者、您是否在硬质 EVM 上使用过有助于检查效率是否相同的器件?
谢谢!
Jeff
您好 Jeff、
数据表中的图9-4是在 LMQ66430R5R 在5V 输出电压(固定)下运行时获得的、其中 RFBT= 0 Ω 且 RFBB = DNP。
您测量的不同效率可能是由于您在可调输出电压配置中使用该器件所致。 在可调输出电压配置下运行的效率往往低于固定输出电压配置、因为泄漏电流流经反馈电阻器接地、并且内部 LDO 由 VIN 供电、而不是由输出电压供电、这会导致出现这种情况 损耗更大。
我怀疑、如果您将电路板重新配置为:
RT = 39.2k (400kHz)、L1 = 10uH、Rfbt = 0、 Rfbb =不填充。
希望这有助于解决您的问题。
此致、
Harrison Overrurf
哈里森、您好!
请参阅下面的 EVM 设置、我使用 了 LMQ66430R5R、但当我设置 RFBT= 0欧姆且 RFBB = DNP、RINJ=0欧姆时、
似乎没有输出电压、您是否可以帮助我查看 EVM 设置?
我发现 SW 引脚有一些脉冲看起来仍然有效、但 Vout 始终= 0V。
你有什么想法吗? 我还尝试了 CFF= DNP 或 CFF= 10p、似乎没有什么不同。
谢谢!
Jeff