大家好、
当我使用此驱动器时、我想知道如何评估它的驱动能力? 如果我使用三个并联 MOS (低侧栅极)、那么 LMG1205是否有足够的功率驱动它们?
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Qianru、您好!
感谢您与我们联系! 我将链接到另一篇帮助评估应用所需的最小驱动电流的 E2E 帖子: 链接到帖子。
您可以使用此计算器工具输入电路信息、以确定您的应用所需的最小驱动电流。 由于您计划并联驱动3个 MOS、因此您需要为一个输出驱动的 FET 数量输入3。
如果您对该工具有任何问题或对 LMG1205有任何其他问题、请随时联系我们!
此致!
亚历克斯·韦弗
Qianru、您好!
没问题! 您能否分享此应用的预期开关频率? 此外、是否需要7ns 的上升和下降时间?
6A 实际上是我们的半桥栅极驱动器产品系列支持的最大电流额定值。 LMG1205的额定拉电流/灌电流能力为1.2A/5A。 根据开关频率、您或许能够延长上升/下降时间、从而降低电流要求。 选择低 Qg FET 还有助于尽可能减小驱动电流。 最后、如果需要快速上升/下降时间并且无法更换 FET、则可能需要减少驱动器每个输出所驱动的开关数量。
请帮助确认应用的开关频率、并告诉我是否有任何其他问题我可以帮助回答!
此致!
亚历克斯·韦弗
Qianru、您好!
TPS51604看起来最适合此项目、采用类似尺寸的封装。此半桥驱动器采用2mm x 2mm 封装(而不是1.8mm x 1.8mm)、并且看起来它可以支持远高于所需阈值的电流:
要考虑的一个参数是30ns (典型值)的延长上升时间。 我们还有其他具有更短上升/下降时间和更高驱动强度能力的驱动器、例如 UCC27211A、但这些驱动器将具有更大尺寸的封装。
如果您仍不确定哪个器件最适合、或者我可以提供任何其他澄清信息、请告知我。
此致!
亚历克斯·韦弗