请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LMG1205 大家好、
当我使用此驱动器时、我想知道如何评估它的驱动能力？ 如果我使用三个并联 MOS (低侧栅极)、那么 LMG1205是否有足够的功率驱动它们？
尊敬的 Alex：
感谢您的回复！
使用该计算器工具时、我发现 LMG1205数据表中的上升时间如下表所示：
我选择了7ns、结果约为13A、这是否满足 LMG1205的设计要求？ (我认为电流限制是10A 或其他电流？)。
期待您的回复、非常感谢！
此致！
Qianru
尊敬的 Alex：
切换频率大约为1MHz。 我选择了7ns、因为 LMG1205的数据表显示、这可以更改吗？ (如何？)
FET 的 Qg 在 Vgs=5.5V 时约为30nC、高于1.2A：
如果我在此表中写入正确的参数、LMG1205将无法使用。 是否可以建议使用相同尺寸的其他驱动程序？
谢谢。
Qianru
Qianru、您好！
TPS51604看起来最适合此项目、采用类似尺寸的封装。此半桥驱动器采用2mm x 2mm 封装(而不是1.8mm x 1.8mm)、并且看起来它可以支持远高于所需阈值的电流：
要考虑的一个参数是30ns (典型值)的延长上升时间。 我们还有其他具有更短上升/下降时间和更高驱动强度能力的驱动器、例如 UCC27211A、但这些驱动器将具有更大尺寸的封装。
如果您仍不确定哪个器件最适合、或者我可以提供任何其他澄清信息、请告知我。
此致！
亚历克斯·韦弗