您好、Fergus：
我看到了解决问题的灯光。 钳位电路没有足够的驱动能力来驱动 Q3。
我在 AS431阴极上添加一个10欧姆电阻器、并将串行电阻器 R5从300欧姆降低至100欧姆。 电压仅在10欧姆交叉时出现49mV@Vin=15V、0.2mV@Vin=7.4V。
我使用 PNP 晶体管放大输出电流、请参阅附件。 当 Vin=9.5V~15V 时有效。 低端仍然存在问题、因为流经 Q3的电流更大、低 Vin 无法提供足够的输出电流。
下一步：我将使用达林顿 PNP 来获得更大的电流增益、希望它能起作用。
我虽然在输出端移动钳制电路,因为输出电压>12V,很容易处理参数。 并在输入电压< 8V 时使用 EN 引脚切断电源。 但我不知道客户侧 LED 驱动电路的细节。 项目发布时存在风险、存在问题。
您对修改后的原理图有什么建议吗？
谢谢。
张
Fergus：
我们刚才提出了另一个考虑。 AS431在输入电压大于12V 且输出12V 时正常工作。 它仅在输入电压小于12V 时将输入电压传递给输出电压。 我不知道是否有死点(电压交叉 R5=0)。 明天我去办公室的时候,我会尝试找到它。
不管怎样、如果它不起作用、我会将钳位电路移至 TPS61288输出侧、只要我设置 TPS61288输出13V、AS431电路就始终处于正常状态。 它将非常容易。 在本例中、我将使用 TPS61288 EN 引脚作为截止引脚。 禁用 TPS61288所需的 EN 引脚上的最低电压是多少？ 我是否可以在 EN 引脚上使用齐纳二极管和电阻器？
谢谢。
张
Fergus：
通过将 R5更改为30 Ω/0.5W、可解决 Q3驱动能力问题。 现在、对于输入电压 在7.4V~15V 之间变化、输出为11.81V@11.84V~负载1.2A。 通过添加一个270uF 铝电容器(16SVPG270M、不带它、脉动1V)、最大纹波 p-p 为200mV。
仍然存在一些问题：在截止点(Vin = 7.4V 左右)和瞬变点(13V 左右)发生可闻噪声。 VIN >13.5V 时、可闻噪声消失。
cutoof 点噪声的根本原因是 Q1将其状态从 ON 变为 OFF、但不是陡峭的(需要很长时间)。 我可以尝试以下2种方法：
1.使用 R1并联电容器。
2.使用比较器替代 Q1。
我不知道如何解决 TPS61288瞬态点噪声(在 Vin 13V 附近)、也可能是驱动能力(当 Vin 接近稳定电压时、电压交叉 R5很小、甚至为0、无电流增益。
谢谢。
张
您好、Fergus：
我想您会引导我走上正确的道路。 对于高端的输入电压,我将铝电容器值从270uf 更改为100uf(加上40uf 陶瓷电容器),几乎没有可闻噪声。 仅在 Vin=14.3V 时具有非常轻的可闻噪声。 最大纹波为520mV (比客户规格大20mV)。 添加一个1uH2A 电感器和10uf 电容滤波器、纹波几乎不会消失、仅在上升沿过冲520mV。 我将尝试使用具有大直流电阻器的其他电感器来查看结果。
对于 Vin 的低端、我需要使截止时间短路(快速进行转换)、并添加一个锁存电路、使电路 在电池电压上升时保持截止。 我决定使用数字电路来实现它。 在模拟电路中、阻抗不易于控制、并且会引发很多麻烦(驱动能力、晶体管状态转换)、这使我疯狂不已、尤其是在输入电压不断变化的情况下。
下面是我对低端 Vin 电路的计划。
谢谢。
张
您好、Fergus：
我认为 Vin 高端纹波噪声问题已经解决。 通过在输出端添加一个2.2uH 0.081 Ω DCR L 和10uf C 滤波器、在 Vin=14.1V 时、输出纹波为300mV (比较为520mV 与1uf 0.051 Ω DCR 为)、几乎看不到噪声。 尽管噪声频率仍在人耳范围内、但噪声能量很小。 总输出电容仅为70uf (或许我可以进一步减小电容)。
我将处理低端问题。 首先我需要购买器件。 这可能需要几天的时间。 我将关闭该帮助请求。 如果我遇到新问题、我将签发新的 TT。
非常感谢。 您的人真的很有帮助。
张
您好、Fergus：
我无法使用 EN 引脚实现电池切断和闩锁。 我有2个截止/锁存电路、如果我未连接到 TPS61288电路 EN 引脚、这两个电路都可以正常工作。 请参阅下面的原理图。
CUTOFF/ LATCH 电路1：
CUTOFF/闩锁电路2：
两个电路在 Vin 为高电平时向 EN 引脚输出 Vin、并输出 0.000V (电路1)/输出0.24V (电路2)。 我查看数据表，EN 低电平为0.4V。
当我将截止/锁存电路连接到 TPS61288时、它不会截止、输入电流从2.1A 下降到0.98A。
我购买了 TPS61288EVM-064电路板、并将跳线设置为 EN->GND、相同的结果：TPS 61288仍然输出电压、但电流下降。
请提供帮助。
谢谢。
张
<其栅极电压为+-12V、因此将栅极连接到 GND 超出范围、因为源极电压将最大为15V。>
是的、我认为这是一个驱动电路、如下所示。
我认为 TPS61288已经实现了软启动。 在 TPS 输入侧、我只放置了一个10uf 电容。 尽管开关扼流圈位于输入侧、但其浪涌将受到软启动的限制。 但是、我对小型 MOSFET 封装仍然不是很有信心(我应该购买15A 的 TO-252封装)。 让我们几个小时后看看(我将收到 MOSFET)。 看看 TPS61288、如此小的封装可以传导18A 电流、我感觉有点放心了。
负载动态：实际负载为 LCD 背光(12V1.2A、最大1.4A)。 我认为背光始终是连接的。 我使用10欧姆功率电阻器作为负载。 背光驱动电路可能会导致一些浪涌(客户规格、 浪涌电流)。
TPS61288必须开启或关闭。 现在、我将 AS431钳位电路从输入侧移至输出侧、避免出现低驱动电压/电流问题。 NPN 晶体管 ZXT1053AK 的额定功率仅为5A4W、希望浪涌是瞬时的、ZXT1053AK 可以承受该浪涌。 否则、我将重新选择 NPN。 测试结果良好(除了切断/锁存功能)。 请参阅下面的新原理图和测试结果。
e2e.ti.com/.../schematic-5_2D00_31_2D00_2023.pdfe2e.ti.com/.../2541.test-results.docx
谢谢。
您好、Fergus：
小型 MOSFET 具有 Rds_100~150 Ω m Ω、且在低 Vin 时、电流较大。 如果 VGS 较小、则 RDS 会增加、在低 Vin 时则较小。
现在我选择 Si4155DY-T1-GE3、其 RDS 为15m Ω、但 CGS 较大(~1000pF)、我的驱动电路为：
如果有什么我忽视的地方，请检查一下。
