[参考译文] BQ25895：非指令 BATFET_DIS、第2轮

admin

Other Parts Discussed in Thread: BQ25895

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1226810/bq25895-uncommanded-batfet_dis-round-2

器件型号：BQ25895

您好！

总之、在充电期间设置 BATFET_DIS (BATFET 因此关闭)。在上一期中、我要插入太阳能电池板。这是很难重现的。

现在、我已将系统插入实验室的电源、可以轻松地重现此行为(而且、没有太阳、我们的天气不能提供合作)。

条件如下：

无太阳能。这严格来说是一个直流工作台电源。

升压模式关闭。没有负载连接到 PMID。

VBUS 设置为6.5V。输入电流最大值设置为3.25A。充电电流最大设置为5A。

将电源上的电流限制器设置为2.9A 时、系统似乎正常。电池组的充电电流约为4A。

高于3.0A 时、我开始看到问题、尤其是在我的电源的3.2A 限值时。 BATFET_DIS 位不断进行设置。我从来都不会看到充电电流远远超过4A。不报告任何故障。在热敏电阻上报告的温度为27C。

我的 MCU/电子产品由 SYS 供电。该电压流入3.3V 降压转换器、该转换器的峰值负载约为500mA、平均值低于100mA。

这种情况下的电流：

VBUS 输入：约为最大值3.25A

电池充电：大约4.0A

SYS LOAD：< 1A

此外、我还注意到另一个场景。电源设置为2A 和6.5V 时、我在启用电源输出时还会获得 BATFET_DIS。一旦充电器启用、就会出现这种情况。即使低至1A 也可能会触发此情况。可重现性非常好。

与上次一样、我在数据表中没有看到应设置 BATFET_DIS 的任何已记录方案。它仅在全部符合 BQ25895规格的条件下自行发生。

这里发生了什么、我可以对此做什么？

谢谢。

-J

11 个月前

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Jeremy：

我已经根据您的说明尝试尽可能复制这两种场景、但我没有看到在充电期间或充电启用时 BATFET 被强制关闭。对于您所述的任一种或两种情形、当 BATFET 被强制关闭时、您能帮助提供波形吗、以便我们可以进一步研究。请帮助捕获 VBUS、VBAT 和 IBAT (电池充电电流)。您还能否共享您的初始寄存器设置、以便我能够尽可能准确地复制您的设置。

此致、

Garrett

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Garrett：

这里还会出现另一个问题、因此我将首先介绍、因为它会添加更多信息。我尝试通过将充电电流从500mA 缓慢升高到5A 的最大设置来解决第一个问题。这似乎有什么帮助、但我不愿意依赖在 BATFET 中断时可能会失败的软件技术。从那里、我发现、一旦充电电流达到大约4.0A、充电器就会切断。我的软件限制器会检测到这种情况、并将斜坡重置为以500mA 的电流再次启动。我从来不会在任何配置中超过4A、有时会在略低于4A 时达到稳定。

第一个示波器捕获为以下条件：

通道2紫色：VBUS

CH3蓝色：VBAT

通道4绿色：IBAT (1V = 1A)

没有什么特别之处。电流约为4.2/4.3、降至0、然后充电器在我的软件重新配置为500mA 后重新启动。

VBUS 断开时的初始寄存器配置：

调试：  67073：      bq25895.c：1012：BQ25895：
调试：  67079：      bq25895.c：1018：0x00 = 0x3f | HIZ：0 EN_ILIM：0 IINLIM：63
调试：  67084：      bq25895.c：1021：0x01 = 0x05
调试：  67086      ：bq25895.c：1041：0x02 = 0x00 | CONV_START：0 CONV_RATE：0 BOOST_FREQ：0 ICO_EN：0 HVDCP_EN：0 MAX_EN：0 FORCE_DPDM：0 AUTO_DPDM_EN：0
调试：  67099：      bq25895.c：1047：0x03 = 0x34 | OTG_CONFIG：1 CHG_CONFIG：1 SYS_MIN：2.
调试  ：67104：      bq25895.c：1051：0x04 = 0x1a | ICHG：26
调试  ：67110：      bq25895.c：1056：0x05 = 0x11 | IPRECHG：1 ITERM：1.
调试  ：67116：      bq25895.c：1062：0x06 = 0x4e | VREG：19 BATLOWV：1 VRECHG：0
调试  ：67125：      bq25895.c：1065：0x07 = 0x8d
调试  ：67127：      bq25895.c：1068：0x08 = 0x03
调试：  67132：      bq25895.c：1074：0x09 = 0x44 | BATFET_DIS：0 BATFET_DLY：0 BATFET_RST_EN：1.
调试  ：67142：      bq25895.c：1078：0x0A = 0x83 | BOOSTV：8.
调试  ：67146：      bq25895.c：1086：0x0B = 0xe2 | VBUS_STAT：7 CHARGE_STAT：0 PG_STAT：0 SDP_STAT：1 VSYS_STAT：0
调试  ：67158      ：bq25895.c：1094：0x0C = 0x00 | WATCHDOG_FAULT：0 BOOST_FAULT：0 CHRG_FAULT：0 BAT_FAULT：0 NTC_FAULT：0
调试  ：67167：      bq25895.c：1099：0x0D = 0x1d | FORCE_VINDPM：0 VINDPM：29.
调试  ：67175：      bq25895.c：1104：0x0E = 0x37 | THERM_STAT：0 BATV：55
调试  ：67181      ：bq25895.c：1108：0x0F = 0x36 | SYSV：54
调试  ：67186：      bq25895.c：1112：0x10 = 0x4e | TSPCT：78
调试  ：67192：      bq25895.c：1117：0x11 = 0x00 | VBUS_GD：0 VBUSV：0
调试  ：67198：      bq25895.c：1121：0x12 = 0x00 | ICHGR：0
调试：  67203：      bq25895.c：1127：0x13 = 0x3f | VDPM_STAT：0 IDPM_STAT：0 IDPM_LIM：63
调试：  67211：      bq25895.c：1130：0x14 = 0x39

下一个示波器捕获：

我禁用了慢启动算法。现在、当我施加 VBUS 时、充电器会设置为5A。

在大约4A 时很明显会出现一些情况。

我查看了电感器规格、以便可能排除该问题。根据我的计算、我应该具有大约0.5A 的纹波电流。在充电电流为5A 时、我应该需要5.25A 才能使电感器饱和。我将使用的电感器具有接近10A 的饱和电流、因此我认为我们在这方面做得不错。

我在 BQ25895附近的 VBUS 上有一个22uF 和1uF 的电容。 PMID 上为3x 22uF。 1个22uF、位于系统 BAT 上为1个22uF。

在 REGN 上 BTST 为47nF、在4.7uF。由于我不使用 USB 检测功能、因此 D+和 D-短路。

从 SW 到 PMID 的肖特基二极管。

让我知道我还能检查什么！

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Jeremy：

感谢您提供这些附加信息。

我从来没有在任何配置中获得超过4A [/报价]
该器件此时可能处于 INDPM 或热调节状态、从而导致其无法达到5A ICHG 设置。您能否在器件以接近4A 的电流充电时、在充电器切断之前帮助提供您的寄存器日志、以便我们查看器件状态。

您能否帮助进一步澄清您说充电器停机时所观察到的内容。这些图清楚地显示充电电流正在切断、但我想知道整个降压转换器是否可能关闭。当电荷切断时、SYS 电压是否会下降？如果可能、您还可以探测 SW 节点以验证是否仅关闭 BATFET？

此致、

Garrett

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Garrett：

这里是其他一些示波器捕获。

这显示充电器正在启动、然后停止。 BATFET 断开。由于仍在应用 VBUS、VSYS 保持较高。似乎开关仍然在运行。

近距离射击：

以下是3.9A 充电电流下的寄存器：

BQ25895：
调试：  22689      ：bq25895.c：1021：0x00 = 0x3f | HIZ：0 EN_ILIM：0 IINLIM：63
调试  ：22692：      bq25895.c：1024：0x01 = 0x05
调试：  22696      ：bq25895.c：1044：0x02 = 0x00 | CONV_START：0 CONV_RATE：0 BOOST_FREQ：0 ICO_EN：0 HVDCP_EN：0 MAX_EN：0 FORCE_DPDM：0 AUTO_DPDM_EN：0
调试  ：22708：      bq25895.c：1050：0x03 = 0x34 | OTG_CONFIG：1 CHG_CONFIG：1 SYS_MIN：2.
调试：  22764：      bq25895.c：1054：0x04 = 0x4e | ICHG：78
调试  ：22767：      bq25895.c：1059：0x05 = 0x11 | IPRECHG：1 ITERM：1.
调试  ：22771：      bq25895.c：1065：0x06 = 0x42 | VREG：16 BATLOWV：1 VRECHG：0
调试：  22775：      bq25895.c：1068：0x07 = 0x8d
调试：  22780：      bq25895.c：1071：0x08 = 0x03
调试：  22783：      bq25895.c：1077：0x09 = 0x44 | BATFET_DIS：0 BATFET_DLY：0 BATFET_RST_EN：1.
调试  ：22793：      bq25895.c：1081：0x0A = 0x83 | BOOSTV：8.
调试  ：22798      ：bq25895.c：1089：0x0B = 0x16 | VBUS_STAT：0 CHARGE_STAT：2 PG_STAT：1 SDP_STAT：1 VSYS_STAT：0
调试：  22810      ：bq25895.c：1097：0x0C = 0x00 | WATCHDOG_FAULT：0 BOOST_FAULT：0 CHRG_FAULT：0 BAT_FAULT：0 NTC_FAULT：0
调试：  22821      ：bq25895.c：1102：0x0D = 0xa0 | FORCE_VINDPM：1 VINDPM：32
调试：  22826：      bq25895.c：1107：0x0E = 0x43 | THERM_STAT：0 BATV：67
调试：  22833：      bq25895.c：1111：0x0F = 0x45 | SYSV：69
调试  ：22907：      bq25895.c：1115：0x10 = 0x52 | TSPCT：82
调试：  22910：      bq25895.c：1120：0x11 = 0xa2 | VBUS_GD：1 VBUSV：34
调试：  22914：      bq25895.c：1124：0x12 = 0x4e | ICHGR：78
调试：  22918：      bq25895.c：1130：0x13 = 0x7f | VDPM_STAT：0 IDPM_STAT：1 IDPM_LIM：63
调试：  22926：      bq25895.c：1133：0x14 = 0x39

有时很难让它真正达到4A -通常我需要尝试几次。

我的电源通常为2.8A 左右、6.5V = 18瓦。我将在3.3V 电池组上实现4A 的充电电流= 13W。其余的电子设备没有使用5瓦的功率、因此我不确定这么多的功率损耗来自哪里。预计会有一些损失、但确实看起来过大。我的板的其余部分的平均功耗低于1瓦。但这个位可能是一个红色错误。

我看不到任何热问题。该芯片最多只能运行几秒钟、然后才会停产。如果我缓慢地将快速充电设置斜升至5A、我获得了超过4A 的实际充电电流、并且能够充满电。芯片永远不会过热。我还将一个散热器连接到电路板背面的 PCB 接地层。

实际上我不介意芯片能不能达到5A 的电流(即使在理想的情况下、也有可能达不到6.5V 的 VBUS)。没有达到4A *可靠*是一个问题。主要问题是 BATFET 断开。如果芯片确定无法在我可以使用的请求电流充电、但需要将电池保持与系统的连接。正如我之前所指出的、这只是一堆没有记录的行为。电池上不存在过流并且不会达到温度阈值、因此根据数据表、BATFET 没有理由打开。

因此,需要明确的是:第一个优先级是 BATFET *永远不会打开*除非有实际故障或我命令它。附带的问题是、达到4安培以上电流是不错的做法。

谢谢！

-J

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

这是另一个寄存器转储。很难在正确的时刻获得这些,但有什么突出的我:

   1调试：1042762：      bq25895.c：1015：BQ25895：
   1调试：1042766：      bq25895.c：1021：0x00 = 0x3f | HIZ：0 EN_ILIM：0 IINLIM：63
  17调试：1042773：      bq25895.c：1024：0x01 = 0x05
   3调试：1042778：      bq25895.c：1044：0x02 = 0x00 | CONV_START：0 CONV_RATE：0 BOOST_FREQ：0 ICO_EN：0 HVDCP_EN：0 MAX_EN：0 FORCE_DPDM：0 AUTO_DPDM_EN：0
  18调试：1042791：      bq25895.c：1050：0x03 = 0x34 | OTG_CONFIG：1 CHG_CONFIG：1 SYS_MIN：2
   1调试：1042799：      bq25895.c：1054：0x04 = 0x4e | ICHG：78
   1调试：1042805：      bq25895.c：1059：0x05 = 0x11 | IPRECHG：1 ITERM：1.
  18调试：1042811：      bq25895.c：1065：0x06 = 0x42 | VREG：16 BATLOWV：1 VRECHG：0
   0调试：1042818：      bq25895.c：1068：0x07 = 0x8d
   0调试：1042823：      bq25895.c：1071：0x08 = 0x03
   1调试：1042827：      bq25895.c：1077：0x09 = 0x14 | BATFET_DIS：0 BATFET_DLY：0 BATFET_RST_EN：1.
  19调试：1042835：      bq25895.c：1081：0x0A = 0x83 | BOOSTV：8
   2调试：1042841：      bq25895.c：1089：0x0B = 0xf6 | VBUS_STAT：7 CHARGE_STAT：2 PG_STAT：1 SDP_STAT：1 VSYS_STAT：0
   2调试：1042851      ：bq25895.c：1097：0x0C = 0x00 | WATCHDOG_FAULT：0 BOOST_FAULT：0 CHRG_FAULT：0 BAT_FAULT：0 NTC_FAULT：0
  18调试：1042862：      bq25895.c：1102：0x0D = 0x19 | FORCE_VINDPM：0 VINDPM：25
   1调试：1042869：      bq25895.c：1107：0x0E = 0x43 | THERM_STAT：0 BATV：67
   1调试：1042876：      bq25895.c：1111：0x0F = 0x46 | SYSV：70
  18调试：1042881：      bq25895.c：1115：0x10 = 0x52 | TSPCT：82
   1调试：1042886：      bq25895.c：1120：0x11 = 0xa1 | VBUS_GD：1 VBUSV：33
   1调试：1042893：      bq25895.c：1124：0x12 = 0x4d | ICHGR：77
   1调试：1042898：      bq25895.c：1130：0x13 = 0x7f | VDPM_STAT：0 IDPM_STAT：1 IDPM_LIM：63
   0调试：1042906：      bq25895.c：1133：0x14 = 0x39

在设置 BATFET_DIS 之前捕获的数据。 ICHG (reg 4)设置为4992mA -正确。奇怪的是寄存器0x12 ICHGR：77、其结果为4.9A。

我无法获得电池电流实际上达到这么高的示波器捕获、它从不超过4A。不过、我使用的是带宽小于50 kHz 的分流放大器、因此我可能看不到它是否存在。

我非常确信、具有5.8V VINDPM 的系统(这是我正在测试的系统、因为这通常是我通常使用的太阳能电池板的合理价值)无论我做什么、都不能以5A 充电。然而,我确实把它配置为*尝试*达到5A (因为如果它真的可以,那太棒了,我会使用它)。因此、它肯定会暂时达到5A、BATFET 在该点打开。但为什么呢？

另请注意、在这种情况下、我的软件没有机会将 VINDPM 复位到我的5.8V 值并将强制位打开。每当连接 VBUS 时、BQ25895似乎会复位该寄存器。如果以默认设置运行 VINDPM 并且将电流限制(充电和输入)设置为最大值、是否存在某种不良的相互作用？如果设置为5A、这是否意味着 BQ25895无论如何都会尝试实际达到5A？

此处困难的一部分是、该系统最终将由太阳能供电。我可以控制 VINDPM 并运行 MPPT 算法、但是我能够从电池板获得的电流大小完全无法预计。毫无疑问、此系统足以以超过4A 的电流进行充电、但如果我得到云端支持、可用电流将立即下降。如果充电电流减小、就可以、但 BATFET 不能打开、因为那时我失去了 VBUS、而且现在我将丢失电池、系统将断电。即使有足够的电池电量耗尽云盖、它也会在随机断电的情况下打败太阳能供电的电池备份。

总之、这就是我现在的所有分析。我曾尝试过也使用电感器电流迹线、但在1.5 MHz 时无法解决这个问题、所以我看不到任何东西。但是、该电感器应足够大、以避免饱和-我从数据表中仔细检查了我的数学运算。即使它饱和、为什么会断开 BATFET？

谢谢。

-J

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

另一个奇怪的说法：我发现来自 BQ25895 I2C 寄存器的数据损坏、但仅在充电电流超过4安培时 BATFET 打开的时候才损坏。在较低的功率等级下似乎不会实现这一点。下面是一个示例：

BQ25895：
调试： 136974：      bq25895.c：1024：0x00 = 0x3f | HIZ：0 EN_ILIM：0 IINLIM：63
调试： 136981：      bq25895.c：1027：0x01 = 0x05
调试： 136986：      bq25895.c：1047：0x02 = 0x00 | CONV_START：0 CONV_RATE：0 BOOST_FREQ：0 ICO_EN：0 HVDCP_EN：0 MAX_EN：0 FORCE_DPDM：0 AUTO_DPDM_EN：0
调试： 137002：      bq25895.c：1053：0x03 = 0x34 | OTG_CONFIG：1 CHG_CONFIG：1 SYS_MIN：2.
调试： 137007：      bq25895.c：1057：0x04 = 0x1f | ICHG：31
调试： 137013：      bq25895.c：1062：0x05 = 0xff | IPRECHG：15 ITERM：15.
调试： 137019      ：bq25895.c：1068：0x06 = 0xff | VREG：63 BATLOWV：1 VRECHG：1.
调试： 137096：      bq25895.c：1071：0x07 = 0xff
调试： 137099：      bq25895.c：1074：0x08 = 0xff
调试：137102：      bq25895.c：1080：0x09 = 0x44 | BATFET_DIS：0 BATFET_DLY：0 BATFET_RST_EN：1.
调试： 137108：      bq25895.c：1084：0x0A = 0xff | BOOSTV：15.
调试： 137110：      bq25895.c：1092：0x0B = 0xff | VBUS_STAT：7 CHARGE_STAT：3 PG_STAT：1 SDP_STAT：1 VSYS_STAT：1.
调试： 137122：      bq25895.c：1100：0x0C = 0x00 | WATCHDOG_FAULT：0 BOOST_FAULT：0 CHRG_FAULT：0 BAT_FAULT：0 NTC_FAULT：0
调试：137133：      bq25895.c：1105：0x0D = 0xff | FORCE_VINDPM：1 VINDPM：127
调试： 137139：      bq25895.c：1110：0x0E = 0xff | THERM_STAT：1 BATV：127
调试： 137145：      bq25895.c：1114：0x0F = 0xff | SYSV：127
调试： 137151：      bq25895.c：1118：0x10 = 0xff | TSPCT：255
调试： 137156：      bq25895.c：1123：0x11 = 0xff | VBUS_GD：1 VBUSV：127
调试： 137163：      bq25895.c：1127：0x12 = 0xff | ICHGR：255
调试：137168：      bq25895.c：1133：0x13 = 0xff | VDPM_STAT：1 IDPM_STAT：1 IDPM_LIM：63
调试： 137176：      bq25895.c：1136：0x14 = 0xff

我检查了 I2C 总线、调整了上拉电阻、并将时钟从400kHz 降至100kHz。我有一个干净的方波、但它仍然在做。我认为总线本身没有损坏。

我还将示波器设置为在3.3V 电压轨掉电时触发(因为这可能会损坏总线)、此时也看不到任何信号。 3.3V 稳压器稳定。

此外-这不仅限于一个芯片。我在探测 SW 信号时不小心碰到它、所以不得不更换芯片。即将出现相同的问题、没有任何差异。

似乎芯片正在自行复位或类似的东西。非常奇怪。

不管怎样、祝您度过一个愉快的周末。

-J

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

我们将进行检查并回复给您。

非常感谢。

宁

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

从现在的一些调试中再拓展几位。

我尝试使用不同供应商提供的类似器件来替换电感器。 BQ25895仍然以完全相同的方式发生故障。我还分解了 BQ25895自己。物料清单。

它在最大充电电流为3.5A 时看起来能够可靠地充电。一旦我试图达到3.8A 或更高,这个婴儿车的行为就开始了。

我不知道我还能做什么。此处的其他一切均根据数据表和原理图检查清单进行。不会有那么多东西拧紧。

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

您是否针对先前的讨论在定制电路板上进行了测试？

谢谢。

宁

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

好的。

-J

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

我只能想到的是在 EVK 中将电感器替换为相同的模型。它的饱和电流甚至比我使用的那个更高-并且二者都远远超过了数据表的计算。但电感器饱和听起来只有这种情况会产生这种效果。

0 admin 11 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好！

您是否测试了多个定制电路板？所有客户电路板的行为是否都相似？

谢谢。

宁

0 admin 10 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

我在整个车队中都看到了不好的表现。这款芯片多年来一直是我身边的一个大问题。我在这一部分工作上的剩余时间有点有限、我不得不将大部分精力转移到其他事情上。但我仍然想解决这个问题。实际上、随着我为调试 BQ25895制定规范所花的时间、我可能已经设计了一种行为和性能都好得多的分立式解决方案、除非这些问题能够得到解决、否则这可能是我的下一种选择。目前、据我所知、该芯片根本无法按照其实际规格执行。如果它的所有东西都降低到大约70%、那就很好了。

我遇到过多篇 E2E 帖子、这些帖子还详细介绍了在类似条件下存在缺陷/瑕疵/不可靠的行为、且没有任何解决方案。 TI 真的没有什么可以建议吗？您是否能够在我所使用的输入条件下可靠地获得超过3.5A 的电流？如果不能、那么芯片至少能可靠运行吗？您是否确实达到了数据表中详述的效率？我从未见过这一产品在多个设计中符合规格的实际性能。对于这样一个涵盖如此广泛操作条件的复杂芯片、数据表的规格和测试数据都非常薄。

有什么你可以建议我试试吗? 我唯一可以真正更改的是电感器(这表示数据表中的指导对于电感器尺寸非常错误)。

同样、我不介意使用我拥有的输入时、芯片是否能真正产生更高的电流、但真正的问题是它崩溃太严重、并且当它崩溃时、整个系统崩溃。它不应该这样做。 BATFET 明显会出现干扰、因为没有一个 BATFET 事件的指定条件被满足。不存在过压或过流。

TI 使用哪些测试条件来验证3.5A 以上的芯片？是否存在内在不可靠的输入条件和充电配置组合？ TI 应该在数据表中的所有规格范围内获得有关该芯片性能的 V&V 数据-确实其中有一些内容会有所帮助吗？

谢谢。

JeremyB.

0 admin 10 个月前

TI__Guru**** 657930 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Jeremy：

根据您的输入条件、我观察到的充电电流应限制在大约4A、这与您的观察结果类似。遗憾的是、我们无法按照您观察到的方式观察到 BATFET 的关闭情况。以下是在您的测试条件(6.5V @ 2.8A 输入、VBAT 约为3.3V)并使用您的相同寄存器设置的情况下、在 BQ25895EVM 上捕获的波形。

- ICHG 设置为4.992A 时的充电启动

-稳态操作，ICHG =~4A

如果我增大输入功率或降低电池电压、我将能够观察到更高的充电电流、但从不设置 BATFET_DIS。我们已与设计团队进行讨论、以验证会导致设置 BATFET_DIS 的所有可能条件、在您提供的详细信息下、这些条件似乎都不会发生。

对于下一步、我建议您将定制板更换为我们的 EVM、然后查看由于我们无法复制此行为、是否仍然可以观察到 BATFET 关闭行为。我唯一想到的另一个建议是在禁用 OTG 模式的情况下尝试相同的充电器启动测试(REG03位5 'OTG_CONFIG'设置为0)。根据您的波形捕获、器件似乎没有尝试进入 OTG、但触发 BATFET 关闭的大多数条件都涉及处于 OTG 模式。

此致、

Garrett

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] BQ25895：非指令 BATFET_DIS、第2轮