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[参考译文] BQ25895:非指令 BATFET_DIS、第2轮

Guru**** 614745 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25895
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1226810/bq25895-uncommanded-batfet_dis-round-2

器件型号:BQ25895

您好!

这是一个 (可能)相关问题: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1206564/bq25895-uncommanded-setting-of-batfet_dis/4583863?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=batfet_dis#4583863

总之、在充电期间设置 BATFET_DIS (BATFET 因此关闭)。  在上一期中、我要插入太阳能电池板。  这是很难重现的。

现在、我已将系统插入实验室的电源、可以轻松地重现此行为(而且、没有太阳、我们的天气不能提供合作)。

条件如下:

无太阳能。  这严格来说是一个直流工作台电源。

升压模式关闭。  没有负载连接到 PMID。

VBUS 设置为6.5V。  输入电流最大值设置为3.25A。  充电电流最大设置为5A。

将电源上的电流限制器设置为2.9A 时、系统似乎正常。  电池组的充电电流约为4A。

高于3.0A 时、我开始看到问题、尤其是在我的电源的3.2A 限值时。  BATFET_DIS 位不断进行设置。  我从来都不会看到充电电流远远超过4A。  不报告任何故障。  在热敏电阻上报告的温度为27C。

我的 MCU/电子产品由 SYS 供电。  该电压流入3.3V 降压转换器、该转换器的峰值负载约为500mA、平均值低于100mA。

这种情况下的电流:

VBUS 输入:约为最大值3.25A

电池充电:大约4.0A

SYS LOAD:< 1A

此外、我还注意到另一个场景。  电源设置为2A 和6.5V 时、我在启用电源输出时还会获得 BATFET_DIS。  一旦充电器启用、就会出现这种情况。  即使低至1A 也可能会触发此情况。  可重现性非常好。

与上次一样、我在数据表中没有看到应设置 BATFET_DIS 的任何已记录方案。  它仅在全部符合 BQ25895规格的条件下自行发生。

这里发生了什么、我可以对此做什么?

谢谢。

-J

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    尊敬的 Jeremy:  

    我已经根据您的说明尝试尽可能复制这两种场景、但我没有看到在充电期间或充电启用时 BATFET 被强制关闭。 对于您所述的任一种或两种情形、当 BATFET 被强制关闭时、您能帮助提供波形吗、以便我们可以进一步研究。 请帮助捕获 VBUS、VBAT 和 IBAT (电池充电电流)。 您还能否共享您的初始寄存器设置、以便我能够尽可能准确地复制您的设置。  

    此致、

    Garrett  

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    您好、Garrett:

    这里还会出现另一个问题、因此我将首先介绍、因为它会添加更多信息。  我尝试通过将充电电流从500mA 缓慢升高到5A 的最大设置来解决第一个问题。  这似乎有什么帮助、但我不愿意依赖在 BATFET 中断时可能会失败的软件技术。  从那里、我发现、一旦充电电流达到大约4.0A、充电器就会切断。  我的软件限制器会检测到这种情况、并将斜坡重置为以500mA 的电流再次启动。  我从来不会在任何配置中超过4A、有时会在略低于4A 时达到稳定。

    第一个示波器捕获为以下条件:

    通道2紫色:VBUS

    CH3蓝色:VBAT

    通道4绿色:IBAT (1V = 1A)

    没有什么特别之处。  电流约为4.2/4.3、降至0、然后充电器在我的软件重新配置为500mA 后重新启动。

    VBUS 断开时的初始寄存器配置:

    调试:  67073:      bq25895.c:1012:BQ25895:
    调试:  67079:      bq25895.c:1018:0x00 = 0x3f | HIZ:0 EN_ILIM:0 IINLIM:63
    调试:  67084:      bq25895.c:1021:0x01 = 0x05
    调试:  67086      :bq25895.c:1041:0x02 = 0x00 | CONV_START:0 CONV_RATE:0 BOOST_FREQ:0 ICO_EN:0 HVDCP_EN:0 MAX_EN:0 FORCE_DPDM:0 AUTO_DPDM_EN:0
    调试:  67099:      bq25895.c:1047:0x03 = 0x34 | OTG_CONFIG:1 CHG_CONFIG:1 SYS_MIN:2.
    调试  :67104:      bq25895.c:1051:0x04 = 0x1a | ICHG:26
    调试  :67110:      bq25895.c:1056:0x05 = 0x11 | IPRECHG:1 ITERM:1.
    调试  :67116:      bq25895.c:1062:0x06 = 0x4e | VREG:19 BATLOWV:1 VRECHG:0
    调试  :67125:      bq25895.c:1065:0x07 = 0x8d
    调试  :67127:      bq25895.c:1068:0x08 = 0x03
    调试:  67132:      bq25895.c:1074:0x09 = 0x44 | BATFET_DIS:0 BATFET_DLY:0 BATFET_RST_EN:1.
    调试  :67142:      bq25895.c:1078:0x0A = 0x83 | BOOSTV:8.
    调试  :67146:      bq25895.c:1086:0x0B = 0xe2 | VBUS_STAT:7 CHARGE_STAT:0 PG_STAT:0 SDP_STAT:1 VSYS_STAT:0
    调试  :67158      :bq25895.c:1094:0x0C = 0x00 | WATCHDOG_FAULT:0 BOOST_FAULT:0 CHRG_FAULT:0 BAT_FAULT:0 NTC_FAULT:0
    调试  :67167:      bq25895.c:1099:0x0D = 0x1d | FORCE_VINDPM:0 VINDPM:29.
    调试  :67175:      bq25895.c:1104:0x0E = 0x37 | THERM_STAT:0 BATV:55
    调试  :67181      :bq25895.c:1108:0x0F = 0x36 | SYSV:54
    调试  :67186:      bq25895.c:1112:0x10 = 0x4e | TSPCT:78
    调试  :67192:      bq25895.c:1117:0x11 = 0x00 | VBUS_GD:0 VBUSV:0
    调试  :67198:      bq25895.c:1121:0x12 = 0x00 | ICHGR:0
    调试:  67203:      bq25895.c:1127:0x13 = 0x3f | VDPM_STAT:0 IDPM_STAT:0 IDPM_LIM:63
    调试:  67211:      bq25895.c:1130:0x14 = 0x39

    下一个示波器捕获:

    我禁用了慢启动算法。  现在、当我施加 VBUS 时、充电器会设置为5A。

    在大约4A 时很明显会出现一些情况。

    我查看了电感器规格、以便可能排除该问题。  根据我的计算、我应该具有大约0.5A 的纹波电流。  在充电电流为5A 时、我应该需要5.25A 才能使电感器饱和。  我将使用的电感器具有接近10A 的饱和电流、因此我认为我们在这方面做得不错。

    我在 BQ25895附近的 VBUS 上有一个22uF 和1uF 的电容。  PMID 上为3x 22uF。  1个22uF、位于系统  BAT 上为1个22uF。

    在 REGN 上 BTST 为47nF、在4.7uF。  由于我不使用 USB 检测功能、因此 D+和 D-短路。

    从 SW 到 PMID 的肖特基二极管。

    让我知道我还能检查什么!

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    尊敬的 Jeremy:  

    感谢您提供这些附加信息。  

    我从来没有在任何配置中获得超过4A [/报价]

    该器件此时可能处于 INDPM 或热调节状态、从而导致其无法达到5A ICHG 设置。  您能否在器件以接近4A 的电流充电时、在充电器切断之前帮助提供您的寄存器日志、以便我们查看器件状态。

    您能否帮助进一步澄清您说充电器停机时所观察到的内容。 这些图清楚地显示充电电流正在切断、但我想知道整个降压转换器是否可能 关闭。 当电荷切断时、SYS 电压是否会下降? 如果可能、您还可以探测 SW 节点以验证是否仅关闭 BATFET?

    此致、

    Garrett  

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    您好、Garrett:

    这里是其他一些示波器捕获。

    这显示充电器正在启动、然后停止。  BATFET 断开。  由于仍在应用 VBUS、VSYS 保持较高。  似乎开关仍然在运行。

    近距离射击:

    以下是3.9A 充电电流下的寄存器:

    BQ25895:
    调试:  22689      :bq25895.c:1021:0x00 = 0x3f | HIZ:0 EN_ILIM:0 IINLIM:63
    调试  :22692:      bq25895.c:1024:0x01 = 0x05
    调试:  22696      :bq25895.c:1044:0x02 = 0x00 | CONV_START:0 CONV_RATE:0 BOOST_FREQ:0 ICO_EN:0 HVDCP_EN:0 MAX_EN:0 FORCE_DPDM:0 AUTO_DPDM_EN:0
    调试  :22708:      bq25895.c:1050:0x03 = 0x34 | OTG_CONFIG:1 CHG_CONFIG:1 SYS_MIN:2.
    调试:  22764:      bq25895.c:1054:0x04 = 0x4e | ICHG:78
    调试  :22767:      bq25895.c:1059:0x05 = 0x11 | IPRECHG:1 ITERM:1.
    调试  :22771:      bq25895.c:1065:0x06 = 0x42 | VREG:16 BATLOWV:1 VRECHG:0
    调试:  22775:      bq25895.c:1068:0x07 = 0x8d
    调试:  22780:      bq25895.c:1071:0x08 = 0x03
    调试:  22783:      bq25895.c:1077:0x09 = 0x44 | BATFET_DIS:0 BATFET_DLY:0 BATFET_RST_EN:1.
    调试  :22793:      bq25895.c:1081:0x0A = 0x83 | BOOSTV:8.
    调试  :22798      :bq25895.c:1089:0x0B = 0x16 | VBUS_STAT:0 CHARGE_STAT:2 PG_STAT:1 SDP_STAT:1 VSYS_STAT:0
    调试:  22810      :bq25895.c:1097:0x0C = 0x00 | WATCHDOG_FAULT:0 BOOST_FAULT:0 CHRG_FAULT:0 BAT_FAULT:0 NTC_FAULT:0
    调试:  22821      :bq25895.c:1102:0x0D = 0xa0 | FORCE_VINDPM:1 VINDPM:32
    调试:  22826:      bq25895.c:1107:0x0E = 0x43 | THERM_STAT:0 BATV:67
    调试:  22833:      bq25895.c:1111:0x0F = 0x45 | SYSV:69
    调试  :22907:      bq25895.c:1115:0x10 = 0x52 | TSPCT:82
    调试:  22910:      bq25895.c:1120:0x11 = 0xa2 | VBUS_GD:1 VBUSV:34
    调试:  22914:      bq25895.c:1124:0x12 = 0x4e | ICHGR:78
    调试:  22918:      bq25895.c:1130:0x13 = 0x7f | VDPM_STAT:0 IDPM_STAT:1 IDPM_LIM:63
    调试:  22926:      bq25895.c:1133:0x14 = 0x39

    有时很难让它真正达到4A -通常我需要尝试几次。

    我的电源通常为2.8A 左右、6.5V = 18瓦。  我将在3.3V 电池组上实现4A 的充电电流= 13W。  其余的电子设备没有使用5瓦的功率、因此我不确定这么多的功率损耗来自哪里。  预计会有一些损失、但确实看起来过大。  我的板的其余部分的平均功耗低于1瓦。  但这个位可能是一个红色错误。

    我看不到任何热问题。  该芯片最多只能运行几秒钟、然后才会停产。  如果我缓慢地将快速充电设置斜升至5A、我获得了超过4A 的实际充电电流、并且能够充满电。  芯片永远不会过热。  我还将一个散热器连接到电路板背面的 PCB 接地层。

    实际上我不介意芯片能不能达到5A 的电流(即使在理想的情况下、也有可能达不到6.5V 的 VBUS)。  没有达到4A *可靠*是一个问题。  主要问题是 BATFET 断开。  如果芯片确定无法在我可以使用的请求电流充电、但需要将电池保持与系统的连接。  正如我之前所指出的、这只是一堆没有记录的行为。  电池上不存在过流并且不会达到温度阈值、因此根据数据表、BATFET 没有理由打开。  

    因此,需要明确的是:第一个优先级是 BATFET *永远不会打开*除非有实际故障或我命令它。  附带的问题是、达到4安培以上电流是不错的做法。

    谢谢!

    -J

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    这是另一个寄存器转储。  很难在正确的时刻获得这些,但有什么突出的我:

       1调试:1042762:      bq25895.c:1015:BQ25895:
       1调试:1042766:      bq25895.c:1021:0x00 = 0x3f | HIZ:0 EN_ILIM:0 IINLIM:63
      17调试:1042773:      bq25895.c:1024:0x01 = 0x05
       3调试:1042778:      bq25895.c:1044:0x02 = 0x00 | CONV_START:0 CONV_RATE:0 BOOST_FREQ:0 ICO_EN:0 HVDCP_EN:0 MAX_EN:0 FORCE_DPDM:0 AUTO_DPDM_EN:0
      18调试:1042791:      bq25895.c:1050:0x03 = 0x34 | OTG_CONFIG:1 CHG_CONFIG:1 SYS_MIN:2
       1调试:1042799:      bq25895.c:1054:0x04 = 0x4e | ICHG:78
       1调试:1042805:      bq25895.c:1059:0x05 = 0x11 | IPRECHG:1 ITERM:1.
      18调试:1042811:      bq25895.c:1065:0x06 = 0x42 | VREG:16 BATLOWV:1 VRECHG:0
       0调试:1042818:      bq25895.c:1068:0x07 = 0x8d
       0调试:1042823:      bq25895.c:1071:0x08 = 0x03
       1调试:1042827:      bq25895.c:1077:0x09 = 0x14 | BATFET_DIS:0 BATFET_DLY:0 BATFET_RST_EN:1.
      19调试:1042835:      bq25895.c:1081:0x0A = 0x83 | BOOSTV:8
       2调试:1042841:      bq25895.c:1089:0x0B = 0xf6 | VBUS_STAT:7 CHARGE_STAT:2 PG_STAT:1 SDP_STAT:1 VSYS_STAT:0
       2调试:1042851      :bq25895.c:1097:0x0C = 0x00 | WATCHDOG_FAULT:0 BOOST_FAULT:0 CHRG_FAULT:0 BAT_FAULT:0 NTC_FAULT:0
      18调试:1042862:      bq25895.c:1102:0x0D = 0x19 | FORCE_VINDPM:0 VINDPM:25
       1调试:1042869:      bq25895.c:1107:0x0E = 0x43 | THERM_STAT:0 BATV:67
       1调试:1042876:      bq25895.c:1111:0x0F = 0x46 | SYSV:70
      18调试:1042881:      bq25895.c:1115:0x10 = 0x52 | TSPCT:82
       1调试:1042886:      bq25895.c:1120:0x11 = 0xa1 | VBUS_GD:1 VBUSV:33
       1调试:1042893:      bq25895.c:1124:0x12 = 0x4d | ICHGR:77
       1调试:1042898:      bq25895.c:1130:0x13 = 0x7f | VDPM_STAT:0 IDPM_STAT:1 IDPM_LIM:63
       0调试:1042906:      bq25895.c:1133:0x14 = 0x39

    在设置 BATFET_DIS 之前捕获的数据。  ICHG (reg 4)设置为4992mA -正确。  奇怪的是寄存器0x12 ICHGR:77、其结果为4.9A。

    我无法获得电池电流实际上达到这么高的示波器捕获、它从不超过4A。  不过、我使用的是带宽小于50 kHz 的分流放大器、因此我可能看不到它是否存在。

    我非常确信、具有5.8V VINDPM 的系统(这是我正在测试的系统、因为这通常是我通常使用的太阳能电池板的合理价值)无论我做什么、都不能以5A 充电。  然而,我确实把它配置为*尝试*达到5A (因为如果它真的可以,那太棒了,我会使用它)。  因此、它肯定会暂时达到5A、BATFET 在该点打开。  但为什么呢?

    另请注意、在这种情况下、我的软件没有机会将 VINDPM 复位到我的5.8V 值并将强制位打开。  每当连接 VBUS 时、BQ25895似乎会复位该寄存器。  如果以默认设置运行 VINDPM 并且将电流限制(充电和输入)设置为最大值、是否存在某种不良的相互作用?  如果设置为5A、这是否意味着 BQ25895无论如何都会尝试实际达到5A?

    此处困难的一部分是、该系统最终将由太阳能供电。  我可以控制 VINDPM 并运行 MPPT 算法、但是我能够从电池板获得的电流大小完全无法预计。  毫无疑问、此系统足以以超过4A 的电流进行充电、但如果我得到云端支持、可用电流将立即下降。  如果充电电流减小、就可以、但 BATFET 不能打开、因为那时我失去了 VBUS、而且现在我将丢失电池、系统将断电。  即使有足够的电池电量耗尽云盖、它也会在随机断电的情况下打败太阳能供电的电池备份。

    总之、这就是我现在的所有分析。  我曾尝试过也使用电感器电流迹线、但在1.5 MHz 时无法解决这个问题、所以我看不到任何东西。  但是、该电感器应足够大、以避免饱和-我从数据表中仔细检查了我的数学运算。  即使它饱和、为什么会断开 BATFET?

    谢谢。

    -J

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    另一个奇怪的说法: 我发现来自 BQ25895 I2C 寄存器的数据损坏、但仅在充电电流超过4安培时 BATFET 打开的时候才损坏。  在较低的功率等级下似乎不会实现这一点。  下面是一个示例:

    BQ25895:
    调试: 136974:      bq25895.c:1024:0x00 = 0x3f | HIZ:0 EN_ILIM:0 IINLIM:63
    调试: 136981:      bq25895.c:1027:0x01 = 0x05
    调试: 136986:      bq25895.c:1047:0x02 = 0x00 | CONV_START:0 CONV_RATE:0 BOOST_FREQ:0 ICO_EN:0 HVDCP_EN:0 MAX_EN:0 FORCE_DPDM:0 AUTO_DPDM_EN:0
    调试: 137002:      bq25895.c:1053:0x03 = 0x34 | OTG_CONFIG:1 CHG_CONFIG:1 SYS_MIN:2.
    调试: 137007:      bq25895.c:1057:0x04 = 0x1f | ICHG:31
    调试: 137013:      bq25895.c:1062:0x05 = 0xff | IPRECHG:15 ITERM:15.
    调试: 137019      :bq25895.c:1068:0x06 = 0xff | VREG:63 BATLOWV:1 VRECHG:1.
    调试: 137096:      bq25895.c:1071:0x07 = 0xff
    调试: 137099:      bq25895.c:1074:0x08 = 0xff
    调试 :137102:      bq25895.c:1080:0x09 = 0x44 | BATFET_DIS:0 BATFET_DLY:0 BATFET_RST_EN:1.
    调试: 137108:      bq25895.c:1084:0x0A = 0xff | BOOSTV:15.
    调试: 137110:      bq25895.c:1092:0x0B = 0xff | VBUS_STAT:7 CHARGE_STAT:3 PG_STAT:1 SDP_STAT:1 VSYS_STAT:1.
    调试: 137122:      bq25895.c:1100:0x0C = 0x00 | WATCHDOG_FAULT:0 BOOST_FAULT:0 CHRG_FAULT:0 BAT_FAULT:0 NTC_FAULT:0
    调试 :137133:      bq25895.c:1105:0x0D = 0xff | FORCE_VINDPM:1 VINDPM:127
    调试: 137139:      bq25895.c:1110:0x0E = 0xff | THERM_STAT:1 BATV:127
    调试: 137145:      bq25895.c:1114:0x0F = 0xff | SYSV:127
    调试: 137151:      bq25895.c:1118:0x10 = 0xff | TSPCT:255
    调试: 137156:      bq25895.c:1123:0x11 = 0xff | VBUS_GD:1 VBUSV:127
    调试: 137163:      bq25895.c:1127:0x12 = 0xff | ICHGR:255
    调试 :137168:      bq25895.c:1133:0x13 = 0xff | VDPM_STAT:1 IDPM_STAT:1 IDPM_LIM:63
    调试: 137176:      bq25895.c:1136:0x14 = 0xff

    我检查了 I2C 总线、调整了上拉电阻、并将时钟从400kHz 降至100kHz。  我有一个干净的方波、但它仍然在做。  我认为总线本身没有损坏。

    我还将示波器设置为在3.3V 电压轨掉电时触发(因为这可能会损坏总线)、此时也看不到任何信号。  3.3V 稳压器稳定。

    此外-这不仅限于一个芯片。  我在探测 SW 信号时不小心碰到它、所以不得不更换芯片。  即将出现相同的问题、没有任何差异。

    似乎芯片正在自行复位或类似的东西。  非常奇怪。

    不管怎样、祝您度过一个愉快的周末。

    -J

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    您好!

    我们将进行检查并回复给您。

    非常感谢。

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    从现在的一些调试中再拓展几位。

    我尝试使用不同供应商提供的类似器件来替换电感器。  BQ25895仍然以完全相同的方式发生故障。  我还分解了 BQ25895自己。  物料清单。

    它在最大充电电流为3.5A 时看起来能够可靠地充电。  一旦我试图达到3.8A 或更高,这个婴儿车的行为就开始了。

    我不知道我还能做什么。  此处的其他一切均根据数据表和原理图检查清单进行。  不会有那么多东西拧紧。

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    您好!

    您是否针对先前的讨论在定制电路板上进行了测试?

    谢谢。

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    好的。

    -J

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    我只能想到的是在 EVK 中将电感器替换为相同的模型。  它的饱和电流甚至比我使用的那个更高-并且二者都远远超过了数据表的计算。  但电感器饱和听起来只有这种情况会产生这种效果。

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    您好!

    您是否测试了多个定制电路板? 所有客户电路板的行为是否都相似?

    谢谢。

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    我在整个车队中都看到了不好的表现。  这款芯片多年来一直是我身边的一个大问题。  我在这一部分工作上的剩余时间有点有限、我不得不将大部分精力转移到其他事情上。  但我仍然想解决这个问题。  实际上、随着我为调试 BQ25895制定规范所花的时间、我可能已经设计了一种行为和性能都好得多的分立式解决方案、除非这些问题能够得到解决、否则这可能是我的下一种选择。  目前、据我所知、该芯片根本无法按照其实际规格执行。 如果它的所有东西都降低到大约70%、那就很好了。  

    我遇到过多篇 E2E 帖子、这些帖子还详细介绍了在类似条件下存在缺陷/瑕疵/不可靠的行为、且没有任何解决方案。  TI 真的没有什么可以建议吗?  您是否能够在我所使用的输入条件下可靠地获得超过3.5A 的电流?  如果不能、那么芯片至少能可靠运行吗?  您是否确实达到了数据表中详述的效率?  我从未见过这一产品在多个设计中符合规格的实际性能。  对于这样一个涵盖如此广泛操作条件的复杂芯片、数据表的规格和测试数据都非常薄。

    有什么你可以建议我试试吗?  我唯一可以真正更改的是电感器(这表示数据表中的指导对于电感器尺寸非常错误)。

    同样、我不介意使用我拥有的输入时、芯片是否能真正产生更高的电流、但真正的问题是它崩溃太严重、并且当它崩溃时、整个系统崩溃。  它不应该这样做。 BATFET 明显会出现干扰、因为没有一个 BATFET 事件的指定条件被满足。  不存在过压或过流。

    TI 使用哪些测试条件来验证3.5A 以上的芯片?  是否存在内在不可靠的输入条件和充电配置组合?  TI 应该在数据表中的所有规格范围内获得有关该芯片性能的 V&V 数据-确实其中有一些内容会有所帮助吗?

    谢谢。

    JeremyB.

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    尊敬的 Jeremy:  

    根据您的输入条件、我观察到的充电电流应限制在大约4A、这与您的观察结果类似。 遗憾的是、我们无法按照您观察到的方式观察到 BATFET 的关闭情况。 以下是在您的测试条件(6.5V @ 2.8A 输入、VBAT 约为3.3V)并使用您的相同寄存器设置的情况下、在 BQ25895EVM 上捕获的波形。  

    - ICHG 设置为4.992A 时的充电启动  

    -稳态操作,ICHG =~4A  

    如果我增大输入功率或降低电池电压、我将能够观察到更高的充电电流、但从不设置 BATFET_DIS。 我们已与设计团队进行讨论、以验证会导致设置 BATFET_DIS 的所有可能条件、在您提供的详细信息下、这些条件似乎都不会发生。  

    对于下一步、我建议您将定制板更换为我们的 EVM、然后查看由于我们无法复制此行为、是否仍然可以观察到 BATFET 关闭行为。 我唯一想到的另一个建议是在禁用 OTG 模式的情况下尝试相同的充电器启动测试(REG03位5 'OTG_CONFIG'设置为0)。 根据您的波形捕获、器件似乎没有尝试进入 OTG、但触发 BATFET 关闭的大多数条件都涉及处于 OTG 模式。  

    此致、

    Garrett