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[参考译文] TPS65218D0：TPS65218B1和 TPS65218D0之间的 DCDC3序列和频闪灯差异

admin
Guru**** 1654840 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS65218D0, TPS65218EVM-100
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1232962/tps65218d0-dcdc3-sequence-and-strobe-difference-between-tps65218b1-and-tps65218d0

器件型号：TPS65218D0
Thread 中讨论的其他器件： TPS65218EVM-100

当从 TPS65218B1替换为 TPS65218D0而不更改电路和寄存器时、DCDC3序列存在差异。

选通延迟设置保持默认值2ms。

TPS65218B1 (电流乘积)的延迟时间约为2.152ms、而 TPS65218D0的延迟时间约为4.16ms。

这是从 B1更改为 D0的改进吗？

或者是否有其他因素？

请参阅以下波形。

※V1.8BAT (TP6)：DCDC6

作为参考、寄存器转储如下所示。

・TPS65218D0
0x00：05 10 00 00 00 28 00 00
0x08：00 00 00 00 00 00 00 00
0x10：00 3f 13 4c c0 00 19 29
0x18：92 b2 06 1f 00 00 00
0x20：00 98 75 12 63 03

・Ω TPS65218B1
0x00：03 10 00 00 00 28 00 00
0x08：00 00 00 00 00 00 00 00
0x10：00 3f 13 48 c0 00 19 29
0x18：92 b2 06 1f 00 00 00
0x20：00 98 75 12 63 03

此致、

聪

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    TI__Guru**** 1654840 points
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    尊敬的 Satoshi：

    根据序列设置、LDO1斜升和 DCDC3斜升之间应有~4ms 的延迟。 此外、DCDC3斜升和 DCDC4斜升之间应该有大约~4ms 的延迟。

    如果 B1版本没有实现这一点、则 D0可能通过一般的错误修复和优化来改进这方面。

    此致、

    詹姆斯

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    TI__Guru**** 1654840 points
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    您好、James：

    感谢您的回复。

    B1和 D0的差异可见于 STROBE5和 STROBE6。

    (从 DCDC3到 LS1的时间)

    我查看了 B1和 D0的数据表、但对 DCDC3和 LS1的描述没有区别。

    该规格差异是否正确？ 或者、您还有其他问题吗？

    ・μ s TPS65218B1：2.16ms

    ・TPS65218D0：4.16ms

    此致、

    聪

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    TI__Guru**** 1654840 points
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    尊敬的 Satoshi：

    我提供了两个示波器捕获图、其中显示了在我们的 TPS65218EVM-100电路板中使用的 TPS65218D0芯片的加电序列。 我看到 DCDC3和 LS1之间的值为~2ms：

    您能否在与上述操作类似的一个捕获中显示 DCDC6、DCDC3和 LS1？ 此外、您能否共享您的原理图以便我可以检查组件？

    此致、

    詹姆斯

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    TI__Guru**** 1654840 points
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    大家好、James

    感谢您的确认、

    DCDC6等于 V1.8BAT (蓝色)、启动波形如下图。

    我可以离线联系您、也可以通过电子邮件发送详细原理图吗？

    此致、

    聪

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    TI__Guru**** 1654840 points
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    尊敬的 Satoshi：

    请接受我朋友的请求、我可以安排私人聊天让您分享原理图。

    此致、

    詹姆斯

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    TI__Guru**** 1654840 points
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    尊敬的 Satoshi：

    您是否需要在电路板上测试另一个 TPS65218D0芯片？ 您是否能够检查另外一个 D0芯片显示 DCDC3和 LS1之间的时间~4ms？ 这可能有助于了解 D0芯片之间是否存在显著差异。 另外、请给我发送一张在私聊中 IC 顶部标记的图片、以记录我们的记录。

    正如我们所讨论的、我将在美国中部时间星期五(美国时间)结束时、为您提供最新的原理图说明。

    此致、

    詹姆斯

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    TI__Guru**** 1654840 points
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    尊敬的 Satoshi：

    我在原理图中没有看到任何重大问题。 我唯一的建议是在 DCDC4上增加一点输出电容、以满足40uF 的最小建议目标。

    但是、我确实发现了 B1数据表和 D0数据表之间的差异。 B1数据表的以下部分：

    如果我们看看 D0数据表中的同一节、则此说明已更新为一些与 DCDC3和 LS1之间的延迟增加相关的附加信息(STROBE5和 STROBE6)：

    由于您的所有寄存器设置都是相同的、并且您直接将 B1芯片与 D0版本交换、因此此注意事项可能是您看到的差异。 这有点难分辨、但在示波器捕获中、DCDC3的斜升时间在 B1芯片上略短。 即使电源轨花费的时间长于斜升延迟时间、此功能也能使上电序列成功。

    此致、

    詹姆斯