主题中讨论的其他器件: UCC21710-Q1、 UCC21710
根据下面的常见问题解答、结合 UCC21750和 SiC-MOSFET 使用时、编写出很难在 SiC-MOSFET 之前保护 SiC-MOSFET
它会分解。这是否意味着另一种方法更适合? 示例:电流检测等
请告诉我、是否有 TI 栅极驱动器可用于驱动 SiC-MOSFET。
[FAQ] UCC21750:如何增加 DESAT 充电电流以在 UCC217xx 和 ISO5x5x 中缩短短路检测时间? -电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛
此致
川岛文雄