[参考译文] UCC21750：UCC21750和 SiC-MOSFET 的组合

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Other Parts Discussed in Thread: UCC21750, UCC21710-Q1, UCC21710

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1236538/ucc21750-combination-of-ucc21750-and-sic-mosfet

器件型号：UCC21750
主题中讨论的其他器件： UCC21710-Q1、 UCC21710

根据下面的常见问题解答、结合 UCC21750和 SiC-MOSFET 使用时、编写出很难在 SiC-MOSFET 之前保护 SiC-MOSFET

它会分解。这是否意味着另一种方法更适合？示例：电流检测等

请告诉我、是否有 TI 栅极驱动器可用于驱动 SiC-MOSFET。

[FAQ] UCC21750：如何增加 DESAT 充电电流以在 UCC217xx 和 ISO5x5x 中缩短短路检测时间？ -电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛

此致

川岛文雄

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1123240 points

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您好！

虽然可以使用 DESAT 功能进行短路保护、但其他栅极驱动器的 OC (过流)功能可能更适合 SiC MOSFET、因为它们可以支持更短的短路检测阈值/检测时间。查看 UCC2173x-Q1系列或 UCC21710-Q1以查看此特性。

此致！

南锡

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1123240 points

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您好、Nancy

我了解到、即使使用 UCC21750、SiC-MOSFET 的去饱和功能也是可能的。

请说明使用 SIC-MOSFET 时、为什么 UCC21710-Q1的过流保护电路更适合。

SiC-MOSFET 和 IGBT 在 DESAT 期间的主要差异是什么。

此致

川岛

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1123240 points

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您好！

IGBT 通常能够承受比 MOSFET 更长的短路情况(最长10微秒、而通常小于5us)。通过使用 UCC21710中的过流保护特性、我们可以缩短短路检测时间(数百纳秒而不是几微秒)。以下链接提供了用于计算不同 UCC217xx 检测方案检测时间的计算器工具的下载链接： https://www.ti.com/lit/zip/sluc695

此致！

南锡

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1123240 points

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南锡·赫勒

感谢您的支持。

我已经检查了计算器工具、因此、对于 UCC21750的去饱和功能、tBLK 约为2us

UCC21710 OC 功能大约为200ns。

可以确认大约10倍的差异。

那么、如何验证这一次以及 SiC-MOSFET 是否受到保护？

此致

川岛

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1123240 points

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您好！

晶体管可承受的时间应是数据表中给出的参数(通常由 SCWT 表示、表示短路耐受时间)。

此致！

南锡

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 1123240 points

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您好

感谢您的支持。

我明白了。

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[参考译文] UCC21750：UCC21750和 SiC-MOSFET 的组合