主题中讨论的其他器件: INA226、 LM22673、 LM22679、 CSD18537NQ5A、CSD18504Q5A 、 LM5117、 LM5166、 LM25018
早上好!
我在很多项目中都用过 LM3150降压转换器、但是这个地方的空间通常比较大。
然而、这一次、卡片的大小迫使我使用更"限制性"的布局。
我遵循了 Webench 项目、其中向我建议了以下内容(如果您需要 Webench 建议的 P/N、我会将其转交给您)
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与最初的 Webench 方案不同、我只使用2个电阻器拆分了反馈电阻器 Rfb1、其中一个电阻器是固定的、另一个电位器是必须使用的电位器
SMD Size (Burns 3224W 系列)仅12匝、因此为了获得尽可能接近所需值的转换值、我需要减小电阻
串联电阻可减小微调器的微调电阻值。
降压转换器的值如下:
输入电压:13.2 - 28V
输出电压:12.06V
Imax:10A
软启动:4ms
频率:~ 474kHz
我在下面附上您的姓名:
- 大纲
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- 顶层 (橙色表示顶部的铜、我还将焊锡膏标记为灰色(因为我无法很好地展示焊盘)、黑色的边框带有
组件参考)。)
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- 内层1 (橙色表示内部1侧的覆铜、我还将 VIAS 标记为灰色、黑色轮廓标记为存在的组件的基准
位于这些区域的最顶端)
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- 内层2 (橙色表示内部2侧的铜、完全是 GND 湖、我还将 VIAS 标记为灰色、将轮廓标记为黑色、并使用参考
分别位于这些区域顶部的组件)
- 底层 (橙色表示内部侧2的铜、完全是 GND 湖、我还将 VIAS 标记为灰色、将轮廓标记为黑色、
这些区域中分别位于顶部的组件参考)
为了携带10A、我首选将其分成4层、其中:
-内部2 ( 18um 铜)和底部(35um 铜)完全专用于 GND
-顶部( 35微米铜)和内部1 ( 18微米铜)专用于正和信号轨道。
我经常读取、以至少放置1个 GND 的全侧、因此我还将 MOSFET 栅极上的信号传递到内部1或顶部。
我在电感焊盘上增加了一些过孔以增加内部层的耗散、并在2个 MOSFET 的散热焊盘下增加了相同的通孔、
以便增加内部侧的覆铜。
现在的问题是:
1) 1)您认为布局是好的、不会造成问题吗? (我尝试将所有电容器和电阻器尽可能靠近控制器放置)
2)我也可以使 PCB 6层或8层,简单地重复内部1和内部2每两次向内侧,从而有4侧的
正信号、4侧用于 GND。 它是否会有所帮助、还是会导致问题?
3)在 Webench 给出的选项中、它最初建议的电感为4.7 uH、对于6.8 uH XAL1010-682MEB 电感、您认为这是好吗?
因为 如果负载远低于我假定使用的负载、我不会希望电感不必要地升温(因为使用是为了
多用途、即同时用于"低"负载应用2-3A、均用于8-9A 负载应用)
4)我有疑问, LM3150是否有 DCM (非连续导通模式)? 因为我没有通过搜索在数据表中找到它。
5)对于一定不能通过某些区域的某些轨道或信号的未来,您有什么建议吗?
提前感谢每个人
保罗