[参考译文] BQ2970：OCD 和 SCD 之间的区别是什么

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328329/bq2970-what-is-the-difference-between-ocd-and-scd

器件型号：BQ2970

您好！

对于过放电电流和短路检测,我有点困惑。

正如数据表中所提到的 OCD 和 SCD 是基于 V-到 VSS 电压检测的,其中 SCD 将考虑在10us 内增加。

在我的电路中、当 OCD 被触发时、就如告知的那样、DOUT 变为低电平、但当我降低负载电流时它不会保留、为什么会这样？

而在 SCD 中,当短路被释放时,它将保持正常状态,因为两者都取决于 V-到 VSS 电压,这是正确的吗?

您能简要解释一下 OCD 和 SCD 之间的区别吗?

此致、

S·库马尔

8 个月前

0 admin 8 个月前

TI__Guru**** 1637200 points

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尊敬的 Sanath：

该器件上的 OCD 和 SCD 保护不会因为放电电流减小而恢复。它们会在负载移除后恢复。

当保护触发且 DSG FET 关闭时、V-被负载上拉至 BAT+。当负载移除后、V-由内部的小电流阱下拉至 VSS。一旦 V-降至~V_BAT - 1V 以下、器件将恢复保护。

此致、

马克斯·韦博肯

0 admin 8 个月前

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Hi max：

感谢您的澄清。

我有另一个疑问,当任何故障情况上升任何一个 FET 将被关闭右,那么电路将开路,那么保护 IC 如何从保护恢复?

那么、我应该在哪一点测量 FET 的压降？

我如何确定 FET 的温度？

此致、

S·库马尔

0 admin 8 个月前

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尊敬的 Sanath：

在 COV 条件(过压)下、CHG FET 将关闭、但是为了恢复保护功能、电池仍然能够通过 FET 的体二极管放电。

在 CUV 条件下(欠压)、DSG FET 将关断、电池仍能够通过体二极管充电恢复。

当前的保护和恢复功能将如前所述。

以及在哪个点我应该测量 FET 的压降？

您是指栅源电压吗？这可通过 COUT/DOUT 引脚进行测量。

如何确定 FET 的温度？

该器件不包含温度保护功能、因此您需要在 FET 附近使用一个外部热敏电阻及其自己的电路来控制/读取该热敏电阻。

此致、

马克斯·韦博肯

0 admin 8 个月前

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高最大值、

感谢您提供的信息。

我想检查 MOSFET 的漏源电压、所以我可以从哪一点检查？

此致、

萨纳特库马

0 admin 8 个月前

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尊敬的 Sanath：

如果要检查两个 FET 上的压降、则可以测量 PACK-和 BAT-之间的电压。如果您希望单个 FET 的压降、可能需要向 FET 的共漏极添加一个测试点。

此致、

马克斯·韦博肯

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