[参考译文] BQ25756：功率 MOSFET 升压计算

admin

Other Parts Discussed in Thread: CSD18534Q5A, BQ25756

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1318351/bq25756-power-mosfets-boost-calculation

器件型号：BQ25756
主题中讨论的其他器件：CSD18534Q5A、

德州仪器团队、您好、

我想联系寻求有关 MOSFET 功率损耗计算的澄清、特别是在升压配置中。我已经在数据表中引用了第9.2.1.2.8节"功率 MOSFET 选择"、该节提供了降压配置的详细计算。但是、我需要专门针对升压配置进行类似的计算。

下面、我添加了我认为适用于升压配置的公式。如果您可以确认这些公式的正确性或提供任何必要的调整、我将不胜感激。

感谢您投入宝贵的时间给予大力支持。

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2756835 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Manuel、您好！

我将在星期一回答您的问题。

同时、设计计算器可帮助解决功率损耗问题： www.ti.com/.../

此致、
E·加洛韦

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2756835 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Manuel、您好！

感谢您对延迟的耐心等待。我在星期一生病了。

我已经查看了您的公式、它们看起来是正确的。

此致、
E·加洛韦

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2756835 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Ethan：

我希望你现在感觉更好。非常感谢您查看这些公式。根据这些计算结果、我发现 CSD18534Q5A 是耗散最低功耗且生成最低温度的晶体管。

但是、我注意到、在 BQ25756 EVM 和您推荐的设计 Excel 工作表中、使用了其他品牌的晶体管、例如 SiR680LDP、SiR880BDP、SiR122LDP、AON66614和 AON6226、而不是我计算得出更高效的晶体管。

您能否说明为什么其他品牌的这些晶体管在 BQ25756设计中优于 CSD18534Q5A？

感谢你在这方面的协助和指导。

此致、

曼努埃

尔

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2756835 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Manuel、您好！

感谢您的提问。我感觉好多了。

我会在下周早些时候回复您、探讨这个问题。

此致、
E·加洛韦

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2756835 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Manuel、您好！

此外、您可以使用此链接检查功率 MOSFET 计算结果： https://www.ti.com/lit/an/slva372d/slva372d.pdf

我们选择的大多数 FET 都归结为 FET 的 VDS、RDS 和电容。例如、 CSD18534Q5A 是60Vds FET、但 AON6226是100Vds FET、而 SiR880BDP/SiR122LDP/SiR680LDP 是80Vds FET。

如果您不需要高 VDS 电压、则可以获得具有更低 RDS (on)和更低电容的更高效 FET。

此致、
E·加洛韦

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] BQ25756：功率 MOSFET 升压计算