您好、团队成员:
我的客户对 BQ25619的过流保护有疑问。
他从数据表中了解到 IINDPM 可 用于 过流保护。
但他关心的是、当 连接到 VSYS 引脚的负载短路时、降压转换器器件的 BQ25619行为。
除了 IINDPM 和 VINDPM 之外、降压转换器器件(HSFET (Q2) LSFET (Q3))中是否存在过流检测?
当直流电源来自 VBUS 引脚时、如果连接到 VSYS 引脚的负载短路、BQ25619会发生什么情况。
非常感谢您的建议。
此致、
山崎明久
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您好、团队成员:
我的客户对 BQ25619的过流保护有疑问。
他从数据表中了解到 IINDPM 可 用于 过流保护。
但他关心的是、当 连接到 VSYS 引脚的负载短路时、降压转换器器件的 BQ25619行为。
除了 IINDPM 和 VINDPM 之外、降压转换器器件(HSFET (Q2) LSFET (Q3))中是否存在过流检测?
当直流电源来自 VBUS 引脚时、如果连接到 VSYS 引脚的负载短路、BQ25619会发生什么情况。
非常感谢您的建议。
此致、
山崎明久
Mike San、
感谢您的评论。
很抱歉未能告知您客户问题的意图。 让我确认 sys 过载时的器件行为。
SYS 的电源来自 VBUS 以及电池、如下图中的红色和蓝色箭头所示。 在此状态下 SYS 何时过载、请考虑。
如您所指出的、当电池通电时(蓝色)、该器件会监测 I_SYS_OCP_Q4并保护过流。
当 VBUS 被加电(红色)时、器件似乎监控 IINDPM 并受到保护、根据我看到的数据表、不要在 HSFET (Q2)或 LSFET (Q3)上进行监控、
如果 SYS 过载、则预计器件将进入运输模式、在某些情况下、电流保护将由 IINDPM 提供、然后 PMID 输出将消失。
我在上面考虑。 是这样吗?
非常感谢您的建议。
此致、
山崎明久