您好、TI 团队：
我们将在设计中使用 LM5156DSSR、在隔离式反激配置中用于生成28V 至48V 的电压。 在制造电路板后、在初始上电后、我们在输出端观察到52.5V 的电压、并观察到输出电压不稳定、且随着时间的推移逐渐增加。 2-3分钟后、输出电压达到接近54V。 @我们尝试装载输出，S ã o 100mA 更重，而在200mA 装载 LM5156DSSR IC 时，在靠近 PIN1的位置被损坏/烧毁。
出现此行为的原因可能是什么？我们如何解决此问题？
随附原理图以供参考。
嘿 D4DJ、
感谢您使用 e2e 论坛并分享您的原理图。
如果启动后输出电压不稳定、则可能是由于补偿网络不稳定或输出电容 ESR 较高所致。
为了滤除功率级的开关噪声、低 ESR 陶瓷电容器的性能优于高 ESR 电解电容器或聚合物电容器。
原理图中已经显示了一个1uF 陶瓷电容器、应将其放置在尽可能靠近输出二极管的位置。 额外的陶瓷电容可以提高系统稳定性并减少峰值电压纹波。
要仔细检查补偿网络元件和波特稳定性、可以使用我们的快速启动计算工具：
https://www.ti.com/tool/download/SNVC240
Vout 处的振荡不应直接导致器件损坏。
如果损坏发生在 BIAS 引脚附近、则可能是由偏置和 VCC 电压之间的关系导致的。
数据表列出了 VCC 的绝对最大值为"Vbias + 0.3V"。 这是因为从 VCC 到 BIAS 的内部 ESD 二极管无法处理更高的电流。
由于 VCC 通过变压器的辅助轨供电、您能否检查 VCC 是否绝不会超过偏置？
在这种情况下、可在 BIAS 引脚处使用阻断二极管来防止反向电流流动。
在数据表的第9.3.2章中给出了与这方面相关的更多详细信息： 
关于其他问题、我会很高兴来到这里。
此致、
尼克拉斯
感谢 Niklas 的反馈、
目前、我们使用 SPIN2电路板进行测试、最初在0引脚1电路板中、我们遇到了问题、能够通过组件值调优来解决。
有关此主题的初始主题可在 LM5156上找到：LM5156反激式转换器原理图审阅-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛。
我们遇到了 SPIN2电路板的问题、因此如果 该问题与 非最佳补偿网络有关 、那么我们也会在 SPIN1中遇到同样的问题、对吧？ 引脚1和引脚2之间的主要区别是元件值更新、添加了共模滤波器、以及对布局进行了微小更改。
同样在我们的配置中、对于 VCC 电源、我们将从内部稳压器生成此输出、并且变压器的连接是隔离的。
附加了旋转1原理图、供您参考。
请告诉我们什么是开始调试的最佳起点。
谢谢！
此致、
戴维斯
您好 Niklas、
我们正在尝试为10m Ω 串联电阻器供电、一旦获得电阻器、便会更新观察结果。
同时、我们已将 R675更改为12K 并完成测量。 观察结果与之前的行为类似、但当电阻器更改为12k 时、电压的增加速度比之前的值快得多。
我们记录了输出电压值爬电时间 w.r.t 时间以供您参考。
谢谢！
此致、
您好 Niklas、
我们更改了感应电阻器、并针对不同的负载条件再次进行了测试。
以下是观察结果：
1.. 仍然会观察到电压随着时间推移而爬升。
2. 一旦我们为电路加电、电压爬电速度会更快、后续的电压爬电速度会减慢。
3.. 在不同的负载条件下、上述观察结果是类似的。
我捕获了不同负载条件下随时间的输出变化、以供您参考。
页 S：对于无负载、100mA、200mA 和300mA 等不同的负载条件、将输出电压监控20分钟。
请回顾并告诉我们您对如何进行进一步微调的想法。
同时、我们还捕获阶跃负载响应、以了解电路对负载变化的响应能力、我们将在完成测试后向您更新。
谢谢！
此致、
您好 Niklas、
请在下面找到这些波形。
1.. 通道1。 MOSFET 的栅极、CH2：CS 引脚、CH3：COMP
2. 输出电压波形
3.. 用例2：0 -300mA 负载步进：Ch3：电流，Ch2：输出电压(交流耦合)
4. 用例2：0 -300mA 负载步进：Ch3：电流，Ch2：输出电压(直流耦合)
5..Usecase 3：无负载：Ch3：电流，Ch2：输出电压(交流耦合)
谢谢！
嗨、Davis：
我有新的见解可能显示了问题的根本原因。
如前所述、反馈路径应该会有所改进。
此处的重要部分是 TL431钳位二极管。 此二极管的阳极额定电压可能无法支持48V 输出、这可能会导致不准确、漂移或在最坏的情况下损坏器件。
为了避免这个问题、其他设计在反馈路径上使用额外的二极管来限制电压、从而使 TL431不受损坏。 
可在此处找到与此相关的参考设计：
https://www.ti.com/tool/PMP22764
放置该二极管时、输出应变得稳定、漂移应消失。
谢谢、此致、
尼克拉斯
