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器件型号：TPS65185 您好！
我遇到了一个与 该线程中的问题类似的问题。 VPOS 大约为16V、而 VDDH 没有达到22V。 也有一些口哨。 设计如下：
我看到了一些问题：
- 在数据表中它说:" PBKG (芯片基板)必须用短而宽的迹线连接到 VN (–16V)。 宽覆铜线迹将改善散热。"、因此我的散热焊盘应连接到 VN 引脚。 在 EVM 板中、它连接到引脚22。
- 设计 包括2层、建议采用4层设计。
- VPOS 循环不是那么长、但比 EVM 更长。
我用4层创建了一个新设计、并使其像 EVM 一样尽可能相似。 具体层如下。 内部1层只是接地、因此我没有将其布置好。 我上传了带覆铜区和不带覆铜区的各层、以便于阅读。 我还上传了原理图和使用的器件。 您能审查一下我的设计吗？ 有什么我漏掉的东西吗？
顺便说一下、我使 TPS65185的引脚更长一点以便轻松手工焊接、该板将厚度1mm。 这些变化是否会影响其运行？
e2e.ti.com/.../Schematic_5F00_vindle_5F00_2024_2D00_01_2D00_21.pdf
| 名称 | 制造商器件 | 制造商 |
| 4.7 μ F | 1206B475K500NT | 风华(μ m) |
| 10 μ F | CL05A106MQ5NUNC | 三星(三星) |
| 100nF | CC0603KRX7R9BB104 | Yageo (国巨) |
| 10nF | CL05B103KB5NNNC | 三星(三星) |
| 1 N5819WS | 1 N5819WS | Hottech (合科泰) |
| 2.2 μ H | SWPA3015S2R2MT | 顺络 |
| 4.7 μ H | NR4018T4R7M | TAIYO YUDEN(太诱) |
| 10kΩ | 0402WGF1002TCE | Uni-Royal(厚声) |
| 10kΩ(1002) | NCP18XH103F03RB | Murata (村田 μ s) |
| 1MΩ | 0402WGJ0105TCE | Uni-Royal(厚声) |
| 43kΩ | 0402WGJ0433TCE | Uni-Royal(厚声) |
| 47.5kΩ | 0402WGF4752TCE | Uni-Royal(厚声) |
| 52.3kΩ | 0402WGF5232TCE | Uni-Royal(厚声) |
