此 IC 将用于计划进行大规模生产的项目。
除电阻误差外、是否有任何其他因素会导致充电电流变化？
使用其他制造商提供的 IC、充电电流可能会因放大器的个别差异而有所不同。
规范
充电电压：4.1V
充电电流：800mA
设计
VSETpin...悬空
Richg ...49.9kΩ(±1%)
Kichg...40150
Ichg...795~812mA (仅电阻误差)
您好！
感谢您的回答。
KICHG 的值取自下面的图表。
"KICHG 可能也不同。"
>>了解 KICHG 值的个体差异是否正确？
在这种情况下、请告诉我 KICHG 的±错误。
我的问题是错的。
我在之前的一个项目中使用名为 LT8705的充电 IC。
由于如下所示的个别差异、该 IC 的电流检测放大器（A6的"gm"存在误差。
(数据表 P5)
电流值可按如下所示进行计算、我能够了解由于 IC 之间的个别差异而导致的电流变化。
BQ25303 Ichg 放大器的"gM"未在数据表中披露、但是否存在个别差异导致的任何变化？
如果"gm"存在变化、我想知道±μ V 范围以及用于计算充电电流的公式、包括 gm。
你好，宁
假设 KICHG 因 IC 的个体差异而在39,800至41,000 (绿色部分)之间变化是正确的吗？
这次、我们将在蓝线部分(700mA)中使用它。 在考虑由于各个 IC 差异而导致的电流变化时、这是否意味着我应该通过考虑电阻误差和 KICGH (39800~41000)误差来计算？ 在这种情况下、它将是0.684~0.718A。
57.6kΩ(±1%)
Ichg (max)=41000/(57.6kΩ x 0.99)= 0.718A
Ichg (min)= 39800/(57.6kΩ x 1.01)= 0.684A
上述理解是否正确？
大家好，Garrett
确认在 TJ = 25°C 时有一个±0.1A 的单独差异是正确的吗？
此外、该数据的 Richg 误差是多少±多大的百分比？
