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器件型号：LM5069 大家好、我有几个关于 LM5069参考设计和设计计算器的问题：
我的设计使用 LM5069将电流限制在大约20A @48V 的水平、并防止发生短路。 热插拔方案在此不相关。 通过一个连接到 GND 的100V 二极管实现反向电压保护。 我们还有几个 mF 的高输出电容、因此需要外部 dv/dt 电路。
dV/dc 电路：
- 参考设计计算器、有一个针对 CDV/dt 的最小建议转换率值。 由于我们有多个 mF 的高电容,在我的设计中,我目前使用120nF ,这会导致几个100毫秒的斜率时间,并且几乎是最小的建议转换率。 是否有理由不进一步降低压摆率或 dv/dt 斜率是否有固定的下限？ Im 提出这个问题、是因为我想进一步降低 dv/dt、以补偿 dv/dt 电容差。
- dv/dt 电路是否以负面方式对故障事件中的电流调节器行为产生影响？
- 备注：应在数据表或计算工具中注意、对于 CDV/dt、应考虑将直流偏置用于2类 MLCC、后者很可能会用于第一种设计方法。
分流电阻：
- 我们需要将电流限制设置为特定值、从而导致分流电阻器值为非整数。 在该应用中、它是3、2m Ω。 应用手册建议使用与分流电阻并联的附加电阻分压器。 相反、我仍倾向于使用两个串联的分流电阻器(3m Ω+ 0、2m Ω)、但具有一些疑虑、因为分流焊点电阻是否会对这一点产生负面影响。 您对此方法是否有任何经验？ 您更喜欢哪一个？
- 当使用 TI 设计工具来确定外部电阻分压器的尺寸时、它是否包括两个额外电阻的容差(1%)？
谢谢！
