[参考译文] BQ25756：bq25756的一些问题

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Other Parts Discussed in Thread: BQ25756, LMG5200, CSD19531Q5A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1297856/bq25756-some-questions-of-bq25756

器件型号：BQ25756
主题中讨论的其他器件： LMG5200、 CSD19531Q5A

您好、先生/女士：

请参阅以下问题。

1.反向模式时、Bq25756电源由电池供电并通过 SRN 引脚、但 SRN 引脚上有10欧姆电阻器、这是否影响内部 MOSFET 驱动能力？

2. BQ25756是否可以驱动 GaN MOSFET？例如 Ntreiva GAN3R2-100CBE？

期待您的反馈。

非常感谢。

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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您好、Statham：

感谢您使用此部件。

我会在一周结束时回到这里。

此致、
E·加洛韦

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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您好、Statham：

1.这不会影响 MOSFET 驱动器的运行。芯片仅在启动时使用 SRN 节点为驱动器供电。

2. BQ25756不支持 GaN FET。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

此致、
E·加洛韦

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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Ethan 您好：

我们注意到 BQ25756可以支持600kHz、但我们找不到合适的 MOSFET。

您会为我们推荐一个吗？

期待您的反馈。

非常感谢。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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您好、Statham：

因此、很难找到能够支持 BQ25756整个电压范围的 FET。对于 USB SPR 合约等低电压、 AON6380也可以正常工作。

对于450KHz、我们还使用 SiR880BDP。

此致、
E·加洛韦

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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Ethan 您好：

感谢您的推荐解决方案。

但我们仍然想选择 GaN FET、驱动 GaN FET 与硅 MOSFET 类似。

您能否告诉我们为什么 BQ25756无法支持 GaN MOSFET？

期待您的反馈。

非常感谢。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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您好、Statham：

感谢您对此的耐心倾听。我明天会回到你的身边。

此致、
E·加洛韦

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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您好、Statham：

GaN 驱动器的泄漏很大程度上是 BQ25756栅极驱动器的泄漏。栅极驱动器在高功率下无法实现高升压比。例如、20V/5A 至40V/5A。

如果电源较低、或者如果应用主要是降压/降压/升压应用、则可以使用 GaN FET。

因此、我们不支持 BQ25756的 GaN FET。

此致、
E·加洛韦

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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您好、Ethan：

感谢您的反馈。

我们还找到了 LMG5200、它是否可以与 BQ25756配合使用？

https://www.ti.com/product/LMG5200

我们检查了 SiR880BDP 规范的另一个问题是、我们可以使用 CSD19531Q5A 代替 SiR880BDP 吗？

https://www.ti.com/product/CSD19531Q5A

请向我们提供您的建议。

非常感谢。

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2379650 points

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您好、Statham：

我们尚未使用 BQ25756测试 LMG5200、因此无法保证这会起作用。

CSD19531Q5A FET 将适用于此应用。

此致、
E·加洛韦

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