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[参考译文] TPS55288-Q1:配置输出电流限制

Guru**** 2445440 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS55288

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1289043/tps55288-q1-configuring-output-current-limit

器件型号:TPS55288-Q1
主题中讨论的其他器件:TPS55288

我无法在设备上配置输出电流限制(具体来说、我使用的是 TPS55288RPMR)。 似乎将电流限制为我尝试设置的限制的一半。

按照数据表中的建议、我将使用 10mΩ 电流检测电阻器。 我知道我可以更改该值以获得类似的结果、但我很想了解我错了什么。

我现在想知道我是否将忽略其中一个配置中的某个内容。 寄存器。

我用于测试的最新值是:

VREF LSB (0x00)= 0xF

VREF MSB (0x01) = 0x03

IOUT 限制(0x02) = 0x7F

VOUT SR (0x03) = 0x01

VOUT FB (0x04) = 0x03

CDC REG (0x05) = 0xE0

模式 REG (0x06) = 0xA8

 

我将选择最大电压、以确保在我解决此问题时不会限制我的电流、但一旦问题解决、我将相应地进行设置。

由于不超过七个寄存器、我想我要正确设置所有内容。 但我之前忽略了一些事项。

我是否遗漏了明显的内容?或者您是否可以推荐一些故障排除步骤?

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    您好、Nolan:

    根据您的寄存器值、会在 IOUT_LIMIT 寄存器上禁用输出电流限制。 请启用此位并尝试、使用您的当前设置、输出电流限制将约为6.35A。

    我想知道这里的应用是什么吗? 您还能否共享原理图和布局图片?

    BRS、

    布莱斯

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    Bryce、

    IOUT_LIMIT 寄存器实际设置为0xFF。 将设置使能位。 我很抱歉。 这是我的疏忽。

    我将为其提供20V 电压。 图中电流约为2.05A、输出电压为12.19V/3.212A。  

    目前、我只是在进行负载测试。 最终应用需要将电流限制为4.5A。

    这是您请求的原理图。

    e2e.ti.com/.../TPS55288Schematic.pdf

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    您好、Nolan:

    1.没有负载的时候、输出电压怎么样呢? 20V 输出电压?

    2.当您发现输出电流限值被触发时、能否分享 SW1、SW2、Vout 和电感电流的波形? 需要10ms/div 和放大(5us/div)。

    从原理图中可以看到、  

    1.为什么 R15是 DNP? 它用于选择 MODE 和 I2C 地址。

    2. AGND 未连接到 GND。

    3.还能在这里分享布局图片吗?

    BRS、

    布莱斯

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    Bryce、

    1:无负载、Vout = 21.5V

    2:波形

    触发 FB 引脚时遇到困难。 但是、一旦达到大约10-12V 电压、输出就应该会使电流限制饱和。 因此、在以下各图中、CH1为 VOUT、具有垂直10V/div、且触发器设置为10V。 CH1垂直偏移1分频(+10V)。

    我用 ch2标记了每个图像的水平时间/单位和水平位置。 CH2也设置为10V/div。 CH2垂直偏移2分频(-20V)。

    SW1 10ms/div、位置-60ms:

    SW1 5us/div、位置0ms:

    SW2 10ms/div、位置-60ms:

    SW2 5us/div 位置0ms:

    我不包含 VOUT 的专用图像、因为我在之前的图像中将 VOUT 用作 CH1。

    我不知道如何用示波器测量电感器电流、但如果您对如何测量有建议、我很乐意提供。

    电源路径:

    1:R15为 DNP、因为 表7-2。 数据表的第17页说、将其保持打开状态将为我提供所需的配置。 因此我将其标记为 DNP、以提醒保持该引脚断开。

    2:数据表的第45页说明 GND 和 AGND 只应连接到电容器 C27的 GND 端子上。 如果我在原理图中将它们连接在一起、它们会无处不在。 现在、我有一个指向 C27 GND 端子的浮动 AGND 网、以提醒在 PCB 布局中连接它们。 您应该能够在您请求的图像中看到它。

    之前、我使用一个0欧姆电阻器将 GND 和 AGND 连接到 C27旁边、但我不确定这是否足够、因此我在 PCB 布局中找到了一种将它们重叠的方法。

    3:布局图片

    为了清晰起见、我不浇注覆铜。

    顶层:

    图像的左边缘基本上是 VDD 覆铜、除非您看到 N3美元净水。

    有一个 N5美元的小浇注将 L3连接到两个 MOSFET。

    有一个20美元的小灌电流将 L3和电容器 C24连接到 U3 (TPS55288)的引脚21和25。

    ISP 倒流将 U3引脚11和12连接到所有相关的电容器和电流检测电阻器 R8。

    ISN 覆铜将 R8连接到输出螺纹接线端子。

    在顶部附近、有一个连接相关电容器的所有 AGND 端子的小 AGND 覆铜。

    其他所有情况都应由单个 GND 覆铜覆盖。

    第2层是实心 GND 平面。

    第3层有一些可见的布线、但在其他情况下会被 GND 覆铜覆盖。

    底层也有一些可见的布线、但在其他情况下被 GND 覆铜覆盖。

    如果您需要其他信息、请告诉我。 感谢您到目前为止提供的所有帮助。

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    您好、Nolan:

    感谢您的详细反馈。

    从布局来看、我有一些问题。

    1.您提到了一点:ISP 和 ISN 连接、建议采用开尔文连接进行 ISP-ISN 电压检测、否则输出电流限制精度很差。 您可以在以下应用手册中找到有关布局指南的更多信息。

    www.ti.com/lit/an/slvaer0b/slvaer0b.pdf

    2.我没有找到哪个输出电容最接近 Vout 和 GND 引脚,请指出。 放置位置对于升压侧电源环路非常关键、建议将0402 0.1uF 放置在尽可能靠近 Vout 和 GND 引脚的位置。

    3.您能帮助显示每一层的屏幕截图吗?  从布局方面来看、我认为是 ISP-ISN 连接导致了输出电流限制问题。 可以使用一个差分电压探头测试 ISP 和 ISN 引脚、然后查看它是否等于在寄存器中设置的值。

    BRS、

    布莱斯

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    您好、Nolan:

    我们三周没有收到您的最新消息、因此我假设问题已经得到解答、问题已经解决。

    我现在关闭该主题。 如果仍有打开的内容、请回复、该主题将再次打开。

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    此致、

    布莱斯