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您好!
我已成功将 TPS40200-HT 用于高于15V 的输入电压。
我在输入电压低于15V 时 TPS40200-HT 有问题。 我想使用6V 输入生成3.3V 和1.8V 输出。 在规格中、最小输入电压为5.5V、最小输出电压为700mA。
我正在尝试在~298KHz 的频率下使用 RRC = 68K、CRC = 470pF。 我尝试了值为10uH 和68uH 的 L1电感器。
是否特别需要针对低输入电压进行更改?
谢谢。
M·拉杜卡努
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您好!
我已成功将 TPS40200-HT 用于高于15V 的输入电压。
我在输入电压低于15V 时 TPS40200-HT 有问题。 我想使用6V 输入生成3.3V 和1.8V 输出。 在规格中、最小输入电压为5.5V、最小输出电压为700mA。
我正在尝试在~298KHz 的频率下使用 RRC = 68K、CRC = 470pF。 我尝试了值为10uH 和68uH 的 L1电感器。
是否特别需要针对低输入电压进行更改?
谢谢。
M·拉杜卡努
Eric、您好!
感谢您回答我的问题。
我的45V 输入原理图具有12V 齐纳二极管、可将源极-栅极电压限制为12V。
当输入电压小于~14V 时、栅极电压降至~4V -我认为就是这个问题。
对于具有所需6V 输入的新原理图、我已移除了源极与栅极之间的齐纳二极管-如果电压低于20V、则不需要。
我还禁用了连接引脚7和8 (VDD ISNS)的电流保护、以确保噪声不影响输出。
此致、
马里乌斯
Eric、您好!
我在之前的回复中添加了一条注释。 14V 输入的屏幕截图中的栅极电压是以 GND 为基准测量的-这是一个 P 型 MOSFET。
14V (输入)- 8V (SS 中的最小电压)= 6V (VGATE =(VDD–VGDRV)、对于12 < VDD < 52)
您使用的是 TPS40200的数据表。 我的器件型号是 TPS40200-HT。 它们是相似的、但例如、表6.5不在 TPS40200-HT 数据表中。
此致、
马里乌斯
Eric、您好!
屏幕截图中的电压是栅极电压。 ~4.97V 是栅极电压的差值。
上面的屏幕截图的电压输入略高于14V。 Vgate = 14-8 = 6V。 请注意、电压输入比最大栅极电压多~+1V。
在14V 输入时、转换器工作。 如果输入电压低于14V、栅极电压(GND 基准)降至4.0V、并且转换器停止工作。
这是 TSP40200的高温版本(210C)、可能与低温版本不同。 我订购了低温版本(175C 和125C)进行测试。
请注意、HT 的工作电压范围为5.5V-52V 与4.5V-52V。
此致、
马里乌斯
Eric、您好!
这是输入电压为12V 时的栅极电压:


这是 MOSFET 之后的电压(漏极):


输出电压(在电容器之后)为~0V。
我同意、当栅极电压为4V 且输入电压为12V 时、MOSFET 必须开路。
测试设置是用于45V 输入和5.0V 输出原理图的 PCB。 P 型 MOSFET 为 NP50P06KDG-E1-AY。 该 MOSFET 具有相对较大的栅极电荷和电容、但我们使用了其他 MOSFET、但结果是一样的(甚至更差)。 此输出具有5.0V 齐纳二极管来提供过压保护。 我使用了14V 的150mA 负载。
我订购了不同的 MOSFET、正在等待收到它们进行测试。
此致、
马里乌斯
Eric、您好!
我发现了问题。
我所使用的 TSP40200测试电路是一个大电路板的一部分、该电路板具有一个使用两个 MOSFET 的开关、在42V 下计算得出工作电压。
当我降低功率时、开关开始在14V 电压下关闭测试电路的电压。 遗憾的是、我还没有测量 TSP40200电路中的输入电压来实现这一点。 我已经考虑了我在电源上读取的输入电压。
在我短接开关后、TSP40200开始以6.0V 输入工作。
此处是6.0V 输入、5V 输出的栅极电压:

感谢你的帮助。
此致、
马里乌斯