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[参考译文] TPS40200-HT:低输入电压不工作

Guru**** 1641220 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40200-HT, TPS40200
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1298925/tps40200-ht-low-input-voltage-not-working

器件型号:TPS40200-HT
主题中讨论的其他器件: TPS40200

您好!

我已成功将 TPS40200-HT 用于高于15V 的输入电压。

我在输入电压低于15V 时 TPS40200-HT 有问题。 我想使用6V 输入生成3.3V 和1.8V 输出。  在规格中、最小输入电压为5.5V、最小输出电压为700mA。

我正在尝试在~298KHz 的频率下使用 RRC = 68K、CRC = 470pF。 我尝试了值为10uH 和68uH 的 L1电感器。

是否特别需要针对低输入电压进行更改?

谢谢。

M·拉杜卡努

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    您好, Marius

    我已尝试查找低输入电压下的栅极驱动器电压 Vs. VDD 数据、但找不到、因为器件旧了。  

    如果可以、请检查工作台上的 P-MOSFET 栅极驱动器电压为6V。  

    - EL   

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    Eric、您好!

    感谢您回答我的问题。

    我的45V 输入原理图具有12V 齐纳二极管、可将源极-栅极电压限制为12V。

    当输入电压小于~14V 时、栅极电压降至~4V -我认为就是这个问题。

    对于具有所需6V 输入的新原理图、我已移除了源极与栅极之间的齐纳二极管-如果电压低于20V、则不需要。

    我还禁用了连接引脚7和8 (VDD ISNS)的电流保护、以确保噪声不影响输出。

    此致、

    马里乌斯

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    您好,Marius  

    根据图22、当 VDD = 15V 时、栅极输出应~ 7.3V。 请检查从输入电源到 VDD 引脚是否存在任何过度压降。  

    - EL

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    Eric、您好!

    下面是~14V 输入时的栅极电压屏幕截图。

    注意:这些是以 GND 而非 Source 为基准的电压。

    这是采用13V 输入时的栅极电压屏幕截图:

    此致、

    马里乌斯

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    您好,Marius

    出现问题。 从 VDD 到 GDRV 的压降应该大于6V (最坏情况下)。   

    - EL

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    Eric、您好!

    我在之前的回复中添加了一条注释。 14V 输入的屏幕截图中的栅极电压是以 GND 为基准测量的-这是一个 P 型 MOSFET。

    14V (输入)- 8V (SS 中的最小电压)= 6V (VGATE =(VDD–VGDRV)、对于12 < VDD < 52)

    您使用的是 TPS40200的数据表。 我的器件型号是 TPS40200-HT。 它们是相似的、但例如、表6.5不在 TPS40200-HT 数据表中。

    此致、

    马里乌斯

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    您好,Marius  

    我在参考该波形。  可以看到、从 VDD 到 GDRV 的压降现在仅为4.97V。 它应大于6V (除非温度>125°C)  

    - EL

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    Eric、您好!

    屏幕截图中的电压是栅极电压。 ~4.97V 是栅极电压的差值。

    上面的屏幕截图的电压输入略高于14V。 Vgate = 14-8 = 6V。 请注意、电压输入比最大栅极电压多~+1V。

    在14V 输入时、转换器工作。 如果输入电压低于14V、栅极电压(GND 基准)降至4.0V、并且转换器停止工作。

    这是 TSP40200的高温版本(210C)、可能与低温版本不同。 我订购了低温版本(175C 和125C)进行测试。

    请注意、HT 的工作电压范围为5.5V-52V 与4.5V-52V。

    此致、

    马里乌斯

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    您好,Marius  

    当 V (GDRV-GND)为14V 时、如果 V (VDD)降至4V、高侧 P-MOSFET 将完全导通、并且 VOUT 将等于 VIN。 请仔细检查您所观察的内容是否符合要求。  

    - EL  

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    Eric、您好!

    这是输入电压为12V 时的栅极电压:

    这是 MOSFET 之后的电压(漏极):

    输出电压(在电容器之后)为~0V。

    我同意、当栅极电压为4V 且输入电压为12V 时、MOSFET 必须开路。

    测试设置是用于45V 输入和5.0V 输出原理图的 PCB。 P 型 MOSFET 为 NP50P06KDG-E1-AY。 该 MOSFET 具有相对较大的栅极电荷和电容、但我们使用了其他 MOSFET、但结果是一样的(甚至更差)。 此输出具有5.0V 齐纳二极管来提供过压保护。 我使用了14V 的150mA 负载。

    我订购了不同的 MOSFET、正在等待收到它们进行测试。

    此致、

    马里乌斯

     

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    Eric、您好!

    这是具有16.5V 输入、210mA 负载的栅极电压:

    这是14.6V 输入、250mA 负载下的栅极电压:

    当最小栅极电压低于8V 时、问题就会出现。

    在数据表中、GDRV 被限制为 VIN-8V:

    这里可能是转换器中存在问题。

    此致、

    马里乌斯

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    您好 Marius。

    1.我同意、当栅极电压为4V 且输入电压为12V 时、MOSFET 必须处于开路状态。==>PMOS 应在输入为12V 且栅极接地电压为4V 时打开。  

    2.这是错误的。 当 输入电源电压为12V 时、栅极至地电压应在~12V 至~ 6V 之间摆动。  

    - EL

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    Eric、您好!

    是的、12V 输入的栅极电压错误、但为什么以及如何解决这个问题?

    我唯一剩下的选择是开始测试不同的 MOSFET 和额定175C TSP40200。

    此致、

    马里乌斯

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    Eric、您好!

    您能评论一下我的上一部分回复吗?

    在数据表中、GDRV 被限制为 VIN-8V:

    这里可能是转换器中存在问题。

    对于12V 输入(VIN)、GDRV 为12V-8V = 4V、这正是我在测试中得到的结果!!!

    此致、

    马里乌斯

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    您好 Marius。

    该栅极接地电压是正确的。 我想您的测量结果是错误的。    

    - EL

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    Eric、您好!

    您还指的是什么测量?

    此致、

    马里乌斯

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    您好,Marius

    对于12V 输入(VIN)、GDRV 为12V-8V = 4V、这正是我在测试中得到的结果=>否、不是、16V 减10V 等于6V。  

    - EL

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    您好 Marius。

    这种栅极至地极电压测量是正确的。   

    该栅极至接地电压测量是错误的。   

    - EL

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    Eric、您好!

    您看到的屏幕截图错误。

    这是16.5V 电压输入的栅极电压、正常工作:

    这是不起作用的12V 栅极电压:

    它的最大值为4.5V。

    "对于12V 输入(VIN)、GDRV 为12V-8V = 4V、这正是我在测试中得到的结果!!!"

    此致、

    马里乌斯

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    Eric、您好!

    请评论我之前的答复:

    "在数据表中、GDRV 被限制为 VIN-8V:

    这里可能是转换器中存在问题。

    对于12V 输入(VIN)、GDRV 为12V-8V = 4V、这正是我在测试中得到的结果!!"

    此致、

    马里乌斯

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    您好 Marius。

    是的、驱动器输出电压显然不正确。

    当 VIN =12V 时、如果此波形为 V (GDRV-GND)、则会出现问题。 如果是这样、请更换设备并重新测试。  

    - EL

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    Eric、您好!

    我将获得多个器件的相同测试结果。

    数据表指出 GDRV = VIN - 8V。 基于此、VIN 不能低于8V+6V=14V、符合我的测试结果。

    如果为真、则数据表中指定的5.5V 最小输入电压不正确。

    此致、

    马里乌斯

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    您好 Marius。

    我很抱歉、我 在修改我的回复时意外删除了您的帖子、但有副本。 该器件应能在低至5.5V 的电压下正常工作。 请为我捕获在1V 阶跃下从12V 低至6V 的栅极电压波形。  

    - EL

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    Eric、您好!

    我在测量电路时遇到问题。

    当它停止工作时、电源会关闭。

    我必须修改电路以防止这种情况发生。

    我将尽快进行 t6HE 测量。

    此致、

    马里乌斯

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    您好,Marius  

    请在测试结果准备就绪后发布测试结果。 尤其是、我想看看当处于高逻辑状态的 V (GDRV-GND)@ VIN=12V 变为~ 4.5V。

    - EL

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    Eric、您好!

    我发现了问题。

    我所使用的 TSP40200测试电路是一个大电路板的一部分、该电路板具有一个使用两个 MOSFET 的开关、在42V 下计算得出工作电压。

    当我降低功率时、开关开始在14V 电压下关闭测试电路的电压。 遗憾的是、我还没有测量 TSP40200电路中的输入电压来实现这一点。 我已经考虑了我在电源上读取的输入电压。

    在我短接开关后、TSP40200开始以6.0V 输入工作。

    此处是6.0V 输入、5V 输出的栅极电压:

    感谢你的帮助。

    此致、

    马里乌斯

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    您好,Marius  

    很高兴听到您解决了问题。 6V 测试结果对我来说似乎很好。  

    感谢您选择 TI。 如果您有任何问题、请随时与我们联系。
    - EL