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器件型号：TPS2553 主题中讨论的其他器件： LM5113
大家好！
我们将使用 TPS2553以便通过 EPC GaN-FET 为三个 LM5113切换电源。 我们已检查过、TPS2553的电流限制 MOSFET
当我们开始向电源驱动器发送 PWM 信号时(Gatedriver 根据数据表进行去耦、每个信号的值为1uF)。
我们可以在300ns 内测量大约3A 的高浪涌电流。 TPS2553的电流限制被设定为大约250mA、这在正常运行时绰绰有余。
因此、根据我从数据表中得知、TPS2553需要至少2us 才能响应过流事件(我们的浪涌事件比此事件快得多)。
然后、电流限制放大器在短路事件发生后恢复、并开始调节到设置的电流限制。
在本例中、浪涌电流在1us 内从3A 灌入、达到250mA 下的值。
在另一个线程中、我读到、电流限制放大器恢复之前需要大约300-500us。 n´t 可以观察到、在本例中、需要4ms - 5ms、我们不知道这是为什么？
未触发 nFAULT。 这就导致了一个问题、那就是当电流限制 MOSFET 决定再次导通时、电源驱动器落入 UVLO 并在4-5ms 后恢复。
似乎是高且快速的浪涌电流瞬态导致稳压器进入不良状态。
是否有关于快速浪涌电流瞬变问题的任何已知信息？
提前感谢！
