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[参考译文] TPS745-Q1：上升时间

admin
Guru**** 2382480 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1299178/tps745-q1-rise-time

器件型号：TPS745-Q1

大家好、

您能否告知启动时的最短上升时间值(0V 至3.3V)？  

我想知道不包括启动延迟(EN 至启动冲洗延迟)的上升时间、以检查系统中是否有大于150us 的要求。

启动时间指定为最小200us、但包括 EN 以启动上升延迟。  

此致、

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    您好！

    您是否已查看此图了解有关您的应用的启动时间？  

    通过下图、您可以注意到立即启动、Vout 自然在上升。 我希望这有助于澄清您的问题。 我看到大约300us。  

    谢谢！

    乔什·纳查西

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    尊敬的 Josh - San：

    是的、我已经检查了、并在 EVM 上确认了。

    我想了解最短上升时间(0V 至3.3V)的特性数据、以确保不会违反我的 MCU 要求。  

    由于数据表中将启动时间指定为最小200us、因此我想知道上升时间是否可以满足最小150us。  

    此致、

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    尊敬的信二三：

    我不希望器件的上升时间小于数据表上列出以及图形中所述的时间。 数据是在整个温度范围内获取的、因此您可以看到200us 处于温度范围的限制

    希望这对您有所帮助、如果您还有其他问题、请告诉我。  

    谢谢！

    乔什·纳查西

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    尊敬的 Josh - San：

    数据表中未指定上升时间。  

    数据表指定启动时间=启动延迟+上升时间。

    从图中看来、启动延迟似乎是200us 的典型值。

    因此我想知道上升时间是否等于启动时间-启动延迟是否能达到>150us。

    是否有可用于上升时间的特性数据或设计目标？

    此致、

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    TI__Guru**** 2382480 points
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    尊敬的信二三：

    我理解您的问题。 如果我们查看该图而不考虑、则 Vout 在 EN 上升后的延迟约为300us。 这个300us 不包括来自 EN 的延迟、这只是 Vout 上升的时间。  

    我将查看此器件是否有更多特性。

    如果您在此期间有任何问题、敬请告知。

    谢谢！

    乔什·纳查西