[参考译文] UCC27201：Boostrap 配置

嘿、Brian、

感谢您关于 UCC27201的问题。

这里有一点涉及到大电容、比如您的自举电容器。 初始启动会很长、因为为这些电容器充电需要很长时间才能开始开关。 VDD 到 HB 的电流也很大、用于为这些电容器充电。 此电流受到自举电阻器的限制、DR112也可以看到这一点。 对于较大的自举电容器、重要的是旁路电容器的电容要比自举电容器高10倍。 因此、DC60、DC61和 DC62的电容应该是 DC57和 DC58的10倍。

对于这些电容器选择、我们建议为此使用陶瓷 X7R 电容器、因为它们在高频下循环。 使用电解电容器时、由于循环周期太多、它们通常不会持续使用任何陶瓷电容器。

帮助这些大型电容器处理这些快速瞬变的一种可能方法是直接在 HB-HS 节点上添加一个100nF 小型 X7R 陶瓷电容器。 这将具有更快的充电速度、并且能够比大型电容器更好地处理瞬变。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

嘿、Brian、

1.我使用的术语与数据表中的术语似乎存在一些差异。 数据表中提及的 HB 旁路电容器是从 HB 到 HS 的自举电容器。 我之前提到的旁路电容器位于 VDD 到 GND 之间。 这在数据表第9节"电源相关建议"的末尾进行了一定程度的讨论。 在您的方案中、旁路电容器是 DC60、DC61和 DC62、具体取决于哪个电容器靠近 IC 放置。 建议采用自举电路时、靠近 VDD IC 引脚的旁路电容(HB-GND)应至少比自举电容(HB-HS)大10倍。 您可以在此 链接中参阅半桥配置的自举电路选择应用手册。

2、 对于 FET 和自举电容发生的损伤、很难判断其中一个是引起了另外一个还是同时发生了故障。 如果 DC57和 DC58是电解电容器、则可能是故障的根源、因为这种半桥配置会经历快速的开关周期、因此这些电容器有时会随着时间的推移而磨损。

3.通过添加100nF 的 HB-HS 电容器、可帮助改善开关周期中的抗噪性能和瞬变、这有助于改善这些大电容器、因为它们不适合快速循环。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

嘿、Brian、

1.您正确的说法是、这不违反规格、但大电容器在高开关频率下的性能不好、小电容器也不例外。 将该电容降低到低得多的值、从而允许使用低 ESR、陶瓷、表面贴装 X7R 电容器、并允许在 VDD 上使用更小的旁路电容器。

2.我认为您是在参考第9节"电源要求"的底部。 在典型设置中、半桥栅极驱动器需要两个电容器。 下图中可以看到这一点。 自举电容器、该电容器位于尽可能靠近 IC 的位置、并连接 HB 到 HS。 这是一个本地去耦电容器、用于提供高侧驱动电流。 另一个电容器是偏置电容器或旁路电容器、位于尽可能靠近 IC 的位置、并将 VDD 连接到 VSS。 这用于通过 VDD 引脚提供的 HO 电流脉冲。 该电容器用于去耦、还应该是低 ESR、陶瓷、表面贴装、X7R 电容器。 建议旁路电容器比自举电容器至少大10倍。

例如、如果您需要一个1uF 自举电容器、则至少需要一个10uF 的旁路电容器。

如果您有任何进一步的问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔