[参考译文] UCC27201：Boostrap 配置

感谢 William、

下面是一些需要确认的其他具体问题、请加以澄清。  

1.在数据表中、显示 HB 旁路电容器的典型范围为0.022uF 至0.1uF。 当设计此器件时不应成为一个限制因素、因为您提到"使用大型自举电容器时、旁路电容器的电容必须是自举电容器的10倍"、是正确的吗？

2.现有的客户电路是否有任何问题,不做任何修改? 是否有可能损坏外部 FET 或其他元件？ 如果是、它是如何形成的？

看起来存在很大的问题、因为现有旁路电容器的电容不是自举电容器的10倍、对吧？

3.当 DC57和 DC58使用22uF 自举电容时、是否需要并联0.1uF 旁路电容来实现抗噪功能？

此致

布赖恩

非常感谢。 下面是其他问题。

1.在上述过程中我们了解了如何获得 CAP 值。 但是、客户想知道最大值是多少。 HB-HS 引脚上的自举电容值是多少？ 100uF 还是没有限制？  

22uF x2的自举电容由数据表中基于具体 MOSFET 参数的公式计算得出、详情如下。

2.在现有的应用电路中，VDD 上的电容是470uF，已经大于自举电容的10倍。 但是、客户系统采用三相拓扑、这意味着在使用三个 UCC27201单元。 对于三相拓扑、470uF 是否合适？ 或者它需要470uF 的3倍。  

此致

布赖恩

此致

布赖恩

嘿、Brian、

1.对于自举电容器可以在 HB-HS 上施加的电容值不一定限制。 电容较大时、启动时充电时间较长、因此此处需要低 ESR、因为高 ESR 会导致高侧栅极上出现压降并减慢电容器的循环过程、 而较大的电容器将具有较低的自谐振频率、这会在高频时导致问题、因为超出了该频率、然后电容器开始产生电感作用。

• 您的运行频率是多少？
• 这也在多大的占空比下工作？
• 您的栅极电阻器的尺寸也是多少？
  • 我不确定您是否需要使用足够大的自举电容器、除非您的工作条件保证。 根据表中提供的信息、我没有获得那么高的所需电容。
• UCC27201每侧是否要驱动3个 FET、是否有3个驱动器、总共18个 FET？

2.对于 VDD 上10倍大的偏置电容，该电容应放置在靠近 IC 的位置，用于该单个驱动器。 您需要在每个栅极驱动器上放置一个10倍的电容器、如果需要、还可以在 VDD 上的其他位置放置一个电容器、但这不会考虑栅极驱动器所需的偏置电容器。

如果您有任何疑问、请告诉我您找到的内容。

谢谢！

威廉·摩尔

谢谢。  

1.可能没有对引导带电容器的限制、这意味着44uF (22uF x2)没有违反该规范。  

2.在数据表中，它被指定为旁路电容(0.022至0.1uF)。 我们觉得旁路电容器和引导电容器之间的关系容易混淆吗？ 您能指出、旁路电容器需要放置在 PCB 上的什么位置吗？

此致

布赖恩