主题中讨论的其他器件: UCC21550、 TINA-TI
大家好、
对于我们的数据表规格、输出信号电压的最大值为 'VDDA+0.3'、 如果这种理解是正确的、VDDA 是 PIN16上的实际电源值。
谢谢
此致
米娅
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您好、Mia、
是的、这个 V_VDDA 代表引脚16上的电压、而 V_VDDB 代表引脚11上的电压。 输出到每个电源有一个2W ESD 二极管、即使在器件未通电时也可以防止产生这些电压。 此外、在加电时、主输出驱动器通常具有一个对 VSSA 电阻为0.55欧姆的闭合 NMOS、这也可以防止输出电压超过任一电源轨。 开启时、PMOS 与 VDDA 之间的电阻约为5欧姆。
这种规格主要表明、向输出端施加电压将会正向偏置保护二极管并开始导致异常行为、例如通过 OUTA-VDDA 保护二极管为 VDDA 电源轨供电。 此外、ESD 二极管可能因电流过大而短路、这会阻止输出级正常工作。
此致、
肖恩
您好、Mia、
您应该使用 UCC21550、它具有输出过压保护特性。 UCC21520在过压环境中确实具有更高的故障率。
我在您的原理图上没有看到标记为 G3。 当栅极驱动器的输出为"导通"时、仍有高达21V 的尖峰? 这些尖峰来自哪里?
看起来这些是高频尖峰、背后没有很多功耗。 也许是米勒电荷注入?
您能否共享栅极驱动电路原理图? 可以通过在栅极驱动环路上添加无源器件来过滤这些尖峰。
此致、
肖恩
尊敬的 Asher:
您可以尝试将 SMF19替换为更严格的钳位电压版本、如 SMF17A 或 SMF16A。 关断电流的差异将尽可能小、直到出现击穿电压。
您是否已经将栅极缓冲器调谐至尖峰的谐振频率? 我无法通过示波器图像确定谐振频率。 小于20的电阻器将减少尖峰振幅、即使它会减少阻尼。
我不明白 C135B 的功能。 看起来会禁用 PNP 关断。 这可能会增加关断输出状态的阻抗。
此致、
肖恩
尊敬的 Sean:
非常感谢您的建议。 我将要求供应商提供更多样片、并相应地运行更多测试。
关于项目2、我打算使用较低的电阻器进行测试。 您能否分享任何计算文档来帮助我计算谐振频率?
我们认为、C135B 有助于降低最大正米勒电压尖峰。
提醒一下、 我们最初关注的是米勒电荷引起的高压尖峰是否会导致 UCC21520损坏、因为我们已经损坏了很多 UCC21520。
IC 损坏的常见现象是 OUT 和 VSS 之间的阻抗低于正常器件。
OUT 和 VSS 之间针对正常 IC 的阻抗:大约 0.888M Ω
OUT 和 VSS 之间针对已损坏 IC 的阻抗: 大约 0.523 Ω
CH2指示损坏通道的测试结果、而 CH1显示正常通道。
Br、
为他注册。
大家好、Mia 和 Asher、
优化缓冲电阻需要您选择一个电阻器额定功率。 然后、计算在 f* cv^2下循环运行时保持在此功率范围内的缓冲电容。 然后、您必须根据添加的电容器 d (谐振频率)计算寄生电容和电感。 最后、您可以使用 TINA-TI 使用这些值创建波特图、并可以调整电阻器值、以创建与寄生电感相交的阻性负载。 这将为您提供比指南更优的值。
IC 不会被这些瞬变损坏。 其具有低阻抗输出。 只会检测这些高频电压瞬变、因为芯片上的低阻抗输出与测量点之间存在一定的串联电感。
UCC21550具有一个内部保护功能、此功能可检测输出电流并将输出状态保持至输出电流低于一个安全值。 这可防止内部电感反冲损坏输出晶体管。