[参考译文] TPSM63610：CBOOT 和 Rboot

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1285247/tpsm63610-cboot-and-rboot

器件型号：TPSM63610

您好！
我们的设计需要密切关注 EMI。数据表提到了从 Cboot 到 rboot 的电阻器。 EVM 在 SW 和 Cboot 之间还有一个电容器。

在哪里可以找到有关这两个组件的更多信息。数据表似乎建议100欧姆为良好的平衡、但您可以在0到500欧姆之间使用。这是试错型方法、还是电阻器对效率和压摆率/EMI 的影响之间存在直接相关性。

数据表没有提及在 SW 和 Cboot 之间添加电容器、但列出了内部没有添加电容器。

谢谢！
布赖恩

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2373240 points

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Brian、您好！

在 EVM 上、从 CBOOT 到 SW 的电容器保留为 DNP、因为已经有一个内部100nF 自举电容器。应该不需要外部 CBOOT 电容器、它留在 EVM 上作为占位符。

RBOOT 和 CBOOT 之间的 RBOOT 电阻用于降低和控制上升沿 SW 节点的压摆率。

EVM 目前有一个0欧姆电阻占位符、供客户将电阻微调到其所需的 SW 压摆率。通过增加 RBOOT 电阻、应减少来自快速 dv/dt 的 SW 节点振铃。 100欧姆作为起始点、通常会清理 SW 节点。但是、它可能会因 PCB 布局而异。

此致、

吉米

电源管理（参考译文帖）

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