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器件型号：LMG3522R030 大家好！
我下载了 LMG3522R030器件的 PLECS 仿真模型、因此 GaN FET 的温升非常低。
出于测试目的、我使用简单的降压配置(开关频率为100kHz)检查了行为、如连接的 PLECS 模型中所示。 因此、在400[V]时开关78 [A]会导致结温上升仅约6[°C](对于高侧 GaN FET)。 另一方面、传导损耗和开关损耗的计算似乎一致。
因此、我检查了热性能说明、而 LMG352xR030_V1.xml 文件(也随附)中存在以下模型参数：
FET： 
总和(Ri_FET)= 0.056618 [K/W]
二极管： 
总和(Ri_diode)= 0.158798 [K/W]
可以看到、热电阻器的总和不等于数据表中指示的0.28 [K/W]的稳态热阻。
最后、我的问题是：
- LMG352xR030_V1.xml 热性能说明可能存在错误？
- 此外、我已经看到、在 FET 的关断损耗查找表中、关断能量 Eoff = f (v、i、T)仅针对固定的 v = 400 [V]和 T =-40 [°C]进行规定。 是否计划在其中提供更多信息？
非常感谢您的支持和此类问候、
尼古拉
