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大家好!
我下载了 LMG3522R030器件的 PLECS 仿真模型、因此 GaN FET 的温升非常低。
出于测试目的、我使用简单的降压配置(开关频率为100kHz)检查了行为、如连接的 PLECS 模型中所示。 因此、在400[V]时开关78 [A]会导致结温上升仅约6[°C](对于高侧 GaN FET)。 另一方面、传导损耗和开关损耗的计算似乎一致。
因此、我检查了热性能说明、而 LMG352xR030_V1.xml 文件(也随附)中存在以下模型参数:
FET:
总和(Ri_FET)= 0.056618 [K/W]
二极管:
总和(Ri_diode)= 0.158798 [K/W]
可以看到、热电阻器的总和不等于数据表中指示的0.28 [K/W]的稳态热阻。
最后、我的问题是:
非常感谢您的支持和此类问候、
尼古拉
您好、Nicolas、
我看到您引用的 xml 文件中的热部分。 您似乎是正确的。 此 xml 文件的热阻最高加~0.05 C/W、应~0.28C/W。 这是我在下一版本的模型中标记的要更正的区域。 与此同时、我们将联系我们的封装团队、获取适用于此器件的 Foster 模型、一旦收到他们提供的正确数据、我将向您发送电子邮件更新。 除此之外、0.28 C/W 热阻是用于 传导的、为了使其在 PLC 中准确、必须将一个散热器通过其自身的热阻连接到器件。 这些数字将加在一起(连同热界面材料的热阻)、即为系统的热阻。
对于 FET 关断损耗、我们器件的 关断损耗极低、因为电子输出电容将包含在导通能量中、并且借助我们集成的栅极驱动器、可以尽快进行关断、从而更大限度地减少关断时的重叠损耗。 因此、导通损耗将决定开关损耗。 我将考虑在下一个版本中添加更多温度范围、但该数字不会很大地 改变开关损耗。
此致!
K·沃尔夫