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器件型号：TPSM63602 您好、TI 工程师！
我在测试 TPSM63602V3时遇到问题。 我观察到、即使在空载条件下、一半的 IC 也会出现明显的温度升高。 我已经将原理图、热分布、PCB 布局和照片附加到了这个线程上。 您能仔细看一下设计并提供您的见解或建议吗？ 谢谢！
注意：FL1是共模扼流圈、当它被去除时、3.3V 电源无负载。
您好、TI 工程师！
我在测试 TPSM63602V3时遇到问题。 我观察到、即使在空载条件下、一半的 IC 也会出现明显的温度升高。 我已经将原理图、热分布、PCB 布局和照片附加到了这个线程上。 您能仔细看一下设计并提供您的见解或建议吗？ 谢谢！
注意：FL1是共模扼流圈、当它被去除时、3.3V 电源无负载。
尊敬的 Liyang：
如上所示布局上的接地平面非常小。 为接地平面设置合适大小的覆铜区对于帮助 IC 散热非常重要。 以下是热设计应用手册和数据表中的示例布局： https://www.ti.com/lit/an/snva951/snva951.pdf
您是否可以共享 PCB 的其他层？
此致、
岭
您好，
感谢您发送编修。
我将所有涉及的层都连接在这里。 热问题是由 PCB 布局引起的吗？ 我测量了空载条件下的功率损耗。 约为0.5W。 这是正常的吗？ 谢谢！
顶层
其中一个内层具有接地平面、
底层。 底层的布线是从 FB 到 Vout 的连接、
此致、
溧阳
