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[参考译文] LM74502-Q1:负载突降保护电路

Guru**** 1646690 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7480-Q1, LM74502, LM74502-Q1, LM74502H-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1267724/lm74502-q1-load-dump-protection-circuit

器件型号:LM74502-Q1
主题中讨论的其他器件: LM74502H-Q1、LM7480-Q1 、LM74502

您好!

在我的设计中、我将使用 LM74502-Q1 IC 来保护我的电路免受160V 负载突降(ISO 16750-2)的影响。 US = 160)。

我将不会使用反向电压保护功能、因此我能否使用该电路在不使用反向电压保护的情况下仅防止负载突降?

您能为我的应用推荐一个用于过压保护电路的 FET 吗? (安全工作区)

需要220uF Cout 吗? (在我的设计中-> 5x2.2uF 100V 陶瓷电容器)

此电路是否也能通过 ISO 7637-2 测试脉冲1 us=-600V, 测试脉冲2a us=+112V,测试脉冲3a us=-300us?

此致。

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    您好、Egemen、

    若要使用 LM74502-Q1来 保护下游电路免受160V 负载突降的影响 ,必须使用浪涌抑制器配置, 如下所示。 请参阅数据表"使用 LM74502-Q1、LM74502H-Q1"部分的10.3浪涌抑制器中的电路设计和 FET 选择指南。

    是的,     通过在输入端使用适当的 TVS ,电路可以通过 ISO 7637-2测试脉冲1 us=-600V ,测试脉冲2a us=+112V ,测试脉冲3a us=-300us。 有关输入 TVS 选择指南、请参阅数据表的"24V 电池保护应用的 TVS 二极管和 MOSFET 10.2.4选择"部分。

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    您好!

    我不需要反向电压保护、因此可以移除 Q2吗?

    对于第10.2.4节、TVS 和 FET 并不适合所需的应用。

    这怎么办? "是否需要220uF Cout? (在我的设计中-> 5x2.2uF 100V 陶瓷电容器)"

    此致。

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    您好、 Egemen、

    如果  完全不需要反向电压保护、您可以移除 Q2。 但是、如果要通过  ISO 7637-2 测试脉冲1 us=-600V、需在输入端施加反向电压、则需要 Q2。  

    您可以遵循第10.3.3节" 在浪涌抑制器配置中选择 MOSFET 时的 MOSFET "中提供的指南。 有关 TVS 选择、请参阅 LM7480-Q1数据表中的"10.3.2.6输入 TVS 选择"部分

    关于输出电容、没有 LM74502运行的最低要求。 您可以根据您的应用要求选择电容。  

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    感谢您的回复。

    我将放置 肖特基二极管、而不是 Q2。 这样对于应用来说是可以的吗?

    您推荐  LM74502-Q1还是 LM74502H-Q1 ?

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    这个问题是否有进展?

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    另外、我还有一个问题。

    220nF 电容器的额定电压必须是多少?

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    您好、 Egemen、

    是的、您可以 在电源路径中使用肖特基二极管替代 Q2。

    LM74502-Q1具有较慢的栅极导通速度、建议用于浪涌电流控制、尤其是当您需要在输出端使用电容启动时。 如果您只需要一个快速导通和关断开关而没有任何浪涌电流限制要求、我会推荐使用 LM74502H-Q1。  

    VCAP-VS 电容器上将产生的最大电压为13.9V。 因此、您可以使用额定电压大于15V 的电容器。