[参考译文] LM74502H：LM74502H

您好、Tom、

请在下面找到我的原理图审阅注释、

1.  在 VS 到 GND 之间靠近 IC 的位置添加一个约0.1uF 的去耦电容器。 该电容器将有助于去耦电荷泵噪声、并提高 IC 的 EMI 性能
2. 添加一个(0-10欧姆)与每个 MOSFET 的栅极串联的电阻器。 这些电阻器将帮助抑制 FET 栅极上可能由于寄生 FET 栅极电容和 路径电感而产生的任何振荡。
3. 每个 Ciss =17.1nF 时、总共有8个 FET 由 LM74502H-Q1驱动。 因此、使用的电荷泵电容器(C8)值应等于或大于 = 10 x (8 x 17.1nF)= 1.368uF  
   1. 
4. 如果是汽车应用、而您的应用可能会受到输入瞬态的影响、您可以考虑在输入端使用 TVS。 有关 TVS 选择指南、请参阅数据表的"24V 电池保护应用的 TVS 二极管和 MOSFET 选择10.2.4部分。