[参考译文] TPS552882-Q1：TPS552882 μ A 升压 Q1的buck

您好、七个人

退出跳跃模式并开始切换时、第一个周期是降压高侧导通和升压低侧导通。 这并不取决于 Buck 或 Boost 模式。

BRS、

布莱斯

抱歉、我的意思是：

首先、我的输出是12V。 ，我的输入电压接近输出电压5 μ V、当 TPS552882工作在降压/升压模式下时、例如、当输入为11.5V 时、它首先降压、然后在此模式下升压、对吧？ 当输入为12.5V 时、模式再次变为升压、然后降压、对吧？

但是、我发现在这两种情况下、都是先降压、然后升压。 因此、我想问一下 TPS552882在降压/升压模型下是如何工作的。

您好、七个人

您如何定义首先使用哪种模式？ 我认为该序列在 PFM 模式下没有意义。 如前所述、退出跳跃模式时、第一个周期是 降压高侧打开和升压低侧打开、然后是降压高侧和升压高侧打开。

BRS、

布莱斯

布莱斯、您好！

非常感谢您的答复。 我想再次问一下、为什么 PFM 模型是您所回答的这样一个过程？

您好、七个人

在降压-升压模式下、第一个周期用于磁化电感器以增加电感器电流、因此升压低侧 FET 首先导通。

BRS、

布莱斯

布莱斯、您好！

非常感谢。 如图所示、此第一个 周期与图中的数字相对应？ 我如何解释标记的三个序列号？

您好、七个人

"1"相位仍是跳跃相位、它是非开关相位。 "2"阶段是我所说的第一个周期、降压高侧打开和升压低侧打开。 "3"相是 降压高侧打开和升压高侧打开。 您可以探测电感器电流波形以更好地理解。

BRS、

布莱斯

布莱斯、您好！

因此四个开关在"1"阶段关闭、对吧？

您好、七个人

是、第1阶段没有开关。

布莱斯、您好！

我问您有关 TPS552882的问题是、有两种情况下的 TPS552882QRPMRQ1烧写问题。 调查发现  芯片的高侧和低侧 MOSFET 烧坏、两个外部 MOS 也烧坏。

原理图如下所示：

您能否提供有关该故障的一些线索？ 或什么会导致 MOSFET 烧毁？

非常感谢您的帮助。

您好、七个人

1.请问您的应用和产品类型是什么?

2.输入电压范围、输出电压范围和最大输出电流是多少？

3.是否知道输出电容器的部件号(C9305-C9308)？

4.您还能与您的布局分享吗?

BRS、

布莱斯

嗨、Bryce，

这是用于为 Camara；í n 供电的.

2.输入电压范围是9V 到16V,输出电压是12V ,最大输出电流是5A,另一个 ILIM=8.2A ;

3.输出电容(C9305-C9308)的器件型号是由 Murata 公司生产的 GCM32ER71E106KA57L。

4.布局

您好、七个人

感谢您的反馈、我可以知道客户和项目是什么吗？

您在哪项测试中发现该器件损坏了？ 是启动测试还是稳态测试中？ 器件发生故障时、您是否具有任何波形？

哪个 MOSFET 供应商焊接在损坏的电路板上？

布局对我来说还行、但我认为开关频率对于此功率等级而言过高、散热会是一个大问题。 总有效输出电容仅为41uF、这也会导致糟糕的瞬态响应。

BRS、

布莱斯

嗨、Bryce，

1.我们的 NIO 在汽车 AD 域控制中使用了该 IC；

2、这是售后故障零件。 车主启动时发现故障、通过对数读取输出电压为0V、EN 为高电平；拆卸后找到该芯片、外部 MOS 被烧断；

此 MOS 是二极管中的 DMT47M2SFVWQ-7。

您建议使用多大的输出电容来增加瞬态响应？

去年、我们的 IC 发生了类似的情况、当时使用了 FPWM 模式、然后更改了 PFM 模式以降低发生故障的概率。 但是、现在这些措施并未阻止此类问题的发生、因此您能否从 IC 内部找到此类故障的可能原因？  

您好、七个人

非常感谢您的详细信息。

1.我可以知道在这个项目中发现了多少次失败的案例吗?

2.是不是只有降压侧 FET 受损而 TPS55288正常、还是出现相反的情况？

3.电路板能从16Vin 输出12Vout/5A 吗? 在我看来、MOSFET 输出如此高的功率等级存在风险。 从计算来看、使用10m Ω Rdson 时、降压 LSFET 的功率损耗可高达2W、这可能导致100C 温升、因此我想知道降压侧 FET 首先是否 损坏、然后 TPS55288是否损坏。

4.输出电容由负载/线路瞬态和电压纹波期间的下冲/过冲要求决定。 通常、瞬态响应需要更大的电容。

5.是的、我看到你把模式设置为 PFM、所以我认为这不是相关的。

BRS、

布莱斯

布莱斯、您好！

1、目前我的项目中发生了两起案件。

2.您可以确认存在两个故障部件。 TPS552882高侧和低侧 MOS 的内部升压侧损坏、高侧 MOS 的外部降压侧损坏、或者高侧和低侧 MOS 损坏。

3、为了纠正一个问题、虽然我们将这个输出电流设计为5A、但是实际的最大电流只有大约1A、所以我认为应该不会出现功率过大和瞬态响应差的问题。

您好、七个人

感谢您的反馈。

您是否知道器件在什么情况下会损坏？ 如果能够  在运行条件下重现故障、效果会好得多。

BRS、

布莱斯

布莱斯、您好！

不幸的是,我没有复制它,所以我想请你一些线索,以帮助把它聚合。

我怀疑是由于 IC 的逻辑错误、IC 内的低 MOS 在不适当的时间被打开、导致 VIN 长时间过载到地。 这种现象基本上与之前发生的情况相似、故障原因也基本相似、所以我希望贵公司从 IC 内部给出线索。

而且，我们今天还有另一个案例，这一现象是一贯的。

您好、七个人

Unknown 说：

我怀疑由于 IC 的逻辑错误，IC 内部的低 MOS 在不适当的时间被打开，导致 VIN 长时间过载到地面。

请问您是指哪一个低侧？ 降压低侧或升压低侧？ 您对此是否有任何波形和操作条件？

Unknown 说：

这种现象与以前发生的情况基本相似，故障原因也基本相似，因此我希望贵公司从 IC 内部给出线索。

您提到的现象与这一现象有所不同、因为该器件仅在 PFM 中工作。

Unknown 说：

此外，我们今天又有一个案例，而且这一现象是一致的。

同一个工程是否与此工程相同？ 同样的原理图和布局吗？

BRS、

布莱斯

布莱斯、您好！

1.升压的低侧、没有再循环、所以没有相关的波形。

更改 PFM 只是当时降低故障率的一种措施、并不意味着可以完全覆盖 PFM。

三、全部相同。

您好、七个人

感谢反馈、由于启用了 PFM、过零功能 在所有运行期间始终处于打开状态、不会出现负电流、因此我认为这不是之前的原因。

在这种情况下、您能否帮助进行一些测试和探测启动和负载瞬态的一些波形？

BRS、

布莱斯

您好、Brcycle、

我很乐意提供一些测试波形。

轻负载：

重负载：

从这些波形来看、情况似乎没有问题、但遗憾的是、发生了该故障。 您是否有任何好的想法来帮助我重现故障波形？

从我们的设计角度来看、在 TPS552882后面有一个 POC 开关、它有一个300mA 电流限制、所以它不会是后负载短路引起的过载、只有 TPS552882本身会发生短路、从而导致严重的烧写。

您好、七个人

感谢这些波形、我同意您的看法、即波形看起来不错。 如果您探测电感器电流、则在轻负载或重负载下不会看到负电流。 因此、我不是很确定能够重现故障的线索、您是否知道故障是否在某个特定温度下发生？

BRS、

布莱斯

布莱斯、您好！

但目前 IC 确实烧坏了。 从我们最新的故障案例记录来看、似乎是电源已经稳定时发生了故障、而且我们附近的温度传感器在故障发生时检测到温度超过85°C、这应该是燃烧带来的高温。 此外、我们使用液体冷却来散热、因此电路板内部的温度通常不超过75°C。

您好、七个人

您是否知道首先损坏了哪个器件？ 降压 FET 或芯片？

如果在稳态期间检测到故障、您是否能够使电路板运行并使用单个模式来探测发生故障时的 Vout、iL、SW1和 SW2波形？

BRS、

布莱斯