[参考译文] LMG3422R030：使用 GaN FET 的全桥

尊敬的 Neha：

我看不到此 E2E 问题附加的任何文件、您是指附加文件吗？

此致！
K·沃尔夫

尊敬的 Neha：

对于全桥、两个半桥开关节点不是直接连接的。 这意味着高侧器件的源极不 在同一节点上。 然后、高侧器件将必须使用单独的隔离式偏置电源或必须使用自举电源为 VDD 提供12V 电压。

器件上的 Rdrv 引脚。 该引脚可以短接到器件的 LDO5V、也可以通过电阻器连接到器件的源极引脚。 可以从图7-4中选择电阻器值。 导通压摆率与驱动强度电阻间的关系。 SW 节点不能直接连接到5V_H (即将 LDO5V 连接到器件的电源)。

此致！
K·沃尔夫

尊敬的 Neha：  

更新看起来不错。 Rdrv 引脚问题仍然存在。 Rdrv (引脚52)可通过0欧姆电阻器连接到 LDO5V (引脚53)、Rdrv (引脚52)可通过电阻器连接到器件源(电阻器值根据 图7-4选择)。 数据表中的导通压摆率与驱动强度电阻间的关系。 所有四个 FET 上都必须进行此更改。 除此之外、标记为 VSWNET 的所有引脚都必须标记单独的网络名称。  进行这一更改时、必须确保引脚未连接在布局上。

此致！

K·沃尔夫

尊敬的 Neha：

在应用手册的图片中、不能同时填充 R3和 R5。 如果组装了 R3、则不得在电路板上 组装 R5、如果组装了 R5、则不得在电路板上组装 R3。

上图是我为您准备的最新原理图、显示了从5V_L 到 PGND 的直接短路。 5V_L 是产生5V 电压且 PGND 为0V 的引脚的网络、无法连接。 在这种情况下、我建议 从这里的导线中删除节点5V_L、并离开 PGND。

可以解答有关隔离器的问题。 在 EVM 上、我们使用 ISO7741FDBQ。 这样我们就有4个通道、一个进入 GaN FET (用于 IN)、三个从 GaN FET (用于 TEMP、/OC、/FAULT)。 为了进行测试、我们建议使用所有保护特性、因此使用4通道隔离器。 对于生产、可以通过不使用保护特性的输出信号来减少隔离器上的通道数量、保护特性在 GaN 器件内部仍然有效。

此致！
K·沃尔夫

尊敬的 Neha：

最新的原理图看起来正常、Rdrv 引脚看起来正确。 对于不带变压器和电桥电路的隔离式偏置电源、您可以找到它。 TI 的 UCC14140是一种可能的解决方案。 它的工作原理是将必要的变压器集成到封装中。

此致！
K·沃尔夫

尊敬的 Neha：

我们的 GaN 器件创建5V 电源来为数字隔离器供电、LDO5V 引脚为5V 输出。 这是5V_H 和5V_L 的来源。 VNEG 引脚 是 内部降压/升压转换器负输出。 用作负电源以关闭耗尽模式 GaN FET。 使用2.2-µF 电容器旁路至接地。  

此致！
K·沃尔夫

感谢 Kyle 的支持  

此致、

Neha.