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器件型号：LMG3422R030 您好！
我连接了全桥直流/直流转换器的初级侧。 我使用了数据表中实现的半桥。 您能告诉我是否正确吗？
提前感谢您、
内哈·阿加瓦尔
您好！
我连接了全桥直流/直流转换器的初级侧。 我使用了数据表中实现的半桥。 您能告诉我是否正确吗？
提前感谢您、
内哈·阿加瓦尔
您好、Kyle、
很抱歉、我完全忘记附加该文件。 请找到随附的图像。
尊敬的 Neha：
对于全桥、两个半桥开关节点不是直接连接的。 这意味着高侧器件的源极不 在同一节点上。 然后、高侧器件将必须使用单独的隔离式偏置电源或必须使用自举电源为 VDD 提供12V 电压。
器件上的 Rdrv 引脚。 该引脚可以短接到器件的 LDO5V、也可以通过电阻器连接到器件的源极引脚。 可以从图7-4中选择电阻器值。 导通压摆率与驱动强度电阻间的关系。 SW 节点不能直接连接到5V_H (即将 LDO5V 连接到器件的电源)。
此致！
K·沃尔夫
您好、Kyle、
感谢您的意见。 我已根据您的评论进行了一些更改。 您看一下它看起来是否更好。
此致、
内哈·阿加瓦尔
您好、Kyle、
感谢您的答复。 在应用手册中实现的半桥中、RDRV 引脚52的连接方式与我的连接方式相同。： 
这是应用手册中的图像、
尊敬的 Neha：
在应用手册的图片中、不能同时填充 R3和 R5。 如果组装了 R3、则不得在电路板上 组装 R5、如果组装了 R5、则不得在电路板上组装 R3。
上图是我为您准备的最新原理图、显示了从5V_L 到 PGND 的直接短路。 5V_L 是产生5V 电压且 PGND 为0V 的引脚的网络、无法连接。 在这种情况下、我建议 从这里的导线中删除节点5V_L、并离开 PGND。
可以解答有关隔离器的问题。 在 EVM 上、我们使用 ISO7741FDBQ。 这样我们就有4个通道、一个进入 GaN FET (用于 IN)、三个从 GaN FET (用于 TEMP、/OC、/FAULT)。 为了进行测试、我们建议使用所有保护特性、因此使用4通道隔离器。 对于生产、可以通过不使用保护特性的输出信号来减少隔离器上的通道数量、保护特性在 GaN 器件内部仍然有效。
此致！
K·沃尔夫
您好、Kyle、
另外还有一个问题、来自5V_H、5V_L、VNEG_H 的 来源
完成更改后、请查看下面的原理图： 
此致、
内哈
