[参考译文] LM63625QDRREVM：LM63625DQDRRRQ1

admin

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器件型号：LM63625QDRREVM

当前产品在生产线和现场出现严重故障。该应用位于激光雷达中。一个实例显示了引脚12上的器件内部的烧坏 make。下面是原理图。

0 admin 1 年多前

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您好，亚丁

您能帮助说明一下这是什么类型的故障吗？在什么工作条件下、VIN 和负载是什么？

谢谢！

0 admin 1 年多前

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您好

问题仍然存在吗？由于没有活动、我现在将关闭该主题、你可以自由地重新打开或启动新主题。

谢谢你。

0 admin 1 年多前

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尊敬的 GUI：

我发送了一个回复,但它不断被踢回来。希望这一个会解答。

输入电压= 24V

ILOAD = 700mA

请参见下图、其中可以在芯片中看到损坏。

0 admin 1 年多前

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您好，亚丁

目前我看到的问题是：

当 Vin=24V Vo=1.5V 时、D 较小、=0.063 (当 Vin=30V 时更小)。 ton=45V，考虑到 D*很高，它很小。对于24V->5V 的2.1MHz、TON 约为30ns。该值大于数据表中指定的 TON_MIN (表7.6)。

HS 将在 TON_MIN 时间内保持导通。

是否可以更改 FSW？这里可以使用400kHz 吗？但你需要选择一个更大的 Lm 电感器 ,如果使用400kHz,我认为~4.7uH 将是可以的。

谢谢你。

0 admin 1 年多前

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尊敬的 GUI：

感谢您的建议。我将使用400kHz FSW 进行评估。

0 admin 1 年多前

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您好，亚丁

好的。

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