您好、先生/女士：
我们有一个项目、在我们的电路上使用3个 BQ77915。
请帮助我们查看原理图。
净"BQ 2nd CHG status"和"BQ 2nd DSG status"(在 pdf 原理图中)连接到我们的其他电路。
当 "BQ 2nd CHG status"或"BQ 2nd DSG status"为高电平时、Net "CHG EN"或"DSG EN"(在 jpg 原理图中)将为高电平。
特别是这个 LD 引脚、我们将使用高侧 MOSFET、如何连接它？
期待您的建议。
非常感谢。
e2e.ti.com/.../BQ77915_5F00_stackable-3pcs.pdf
尊敬的 Statham：
将4节串联电池放在顶部器件上可能没问题、将其移至底部的主要原因是控制信号更强、但如果信号不是问题、那么没关系。
对于在原理图中添加 LD 引脚的内容、客户有正确的想法、但需要进行一些更正和注意事项。
如果客户不需要基于 UV 保护进行基于负载检测的恢复、则该解决方案非常简单(请参阅下文)。
如果不需要基于负载检测的 UVP 恢复、那么您可以让上部器件上的 LD 引脚悬空、并按上面所示简单地连接器件。 LD 引脚被内部下拉、所以 BJT 保持无效将模拟器件上的断开负载。 通过导通 N-MOSFET 激活 BJT 将 LD 引脚上拉至 VDD、并模拟器件上存在的负载。
我们建议不要在其他器件上尝试这样做、因为较高的电流可能是不安全的。
如果客户确实需要基于负载检测的 UVP、我们建议查看 BQ76952以交换 BQ77915和 BQ76200、因为 BQ76952最多支持16节电池以及高侧 FET。
希望这对您有所帮助！
此致、
马克斯·韦博肯
您好、最大值：
老实说,我不明白为什么它不能从 UVP 恢复.
因为我们使用高侧 MOSFET 保护、只需要捕获77915到 MCU 的 CHG 和 DSG 信号。
CHG 和 DSG 不会用作 MOSFET 驱动器。
因此、当激活任何保护(UV、OTD、OCC、OCD1/2和 SCD)时、 LD 电压将始终为每个器件的 VSS。
当我需要产生负载移除行为时、我只需要在 LD 引脚上进行从高到低的瞬变吗？
将 U1、U2和 U3的 LD 引脚连接到每个器件的 VDD、并产生高瞬态、
然后从每个器件的 VDD 断开所有 LD 引脚、它会生成低瞬态。
如果以上所述成立、我可以使用光耦合器来 实现。
光耦合器数据表链接如下所示。
tw datasheet/2/408/TLP388_datasheet_en_20220518-1144548.pdf https://www.mouser
如下图所示。
如果我误解了我，请告诉我。
或者我们不关心 LD 功能、可以在 PRES 引脚上使用相同的电路吗？
当需要恢复时、我只需让 PRES 悬空、然后再次连接到高电平、器件将从任何故障保护中恢复。
有可能吗？ 如果我误解了我，请告诉我。
期待您的反馈。
非常感谢。
