[参考译文] LM5122：72V 12A 864W 转换器 MOSFET 热问题

伊格纳西奥、您好！

感谢您使用 E2E 论坛。

您能告诉我您在示波器图片中使用的示波器的分辨率/采样率

您是否还可以共享用于该测量的设置(探头的连接)的照片。

如果我理解正确的话：你看到的问题是 MSOFET 的"嘈杂"控制信号-对吗？

此致、

 斯特凡

伊格纳西奥、您好！

请注意、如果我理解了您的问题：

如果我看到它、则 MOSFET 的右侧 V GATE 为7.5V

如果您仅使用一个 MOSFET、您会在那里看到不同的电压吗？

为什么7.5V 输出不正常？  相反、您希望获得多大的电压？

Vcc 处的电压是多少？ 您能否使用示波器进行检查、看看这是否稳定？

此致、

 斯特凡

你好，斯特凡 :)

对于2个并联 MOSFET 栅极、至少为9.5V

明天我会检查 VCC 价值和稳定性在办公室

此外、我将移除2个 MOSFET、以在使用1个 HS 和1个 LS 的情况下检查栅极行为  

如果 VCC 正常、我们可以怎样做来 显著缩短米勒平台充电时间？

能否仔细检查一下原理图？

伊格纳西奥、您好！

我在原理图中未看到问题、但没有检查补偿网络的值。

此致、

 斯特凡

0

e2e.ti.com/.../1768_2E00_.0SUPPORT_5F00_CAPTURES-MAIN-Parallel-2R.rar

1

e2e.ti.com/.../3718.SUPPORT_5F00_CAPTURES-_2300_2-SINGLE_5F00_MOSFET_5F00_0RGATE.rar

2

e2e.ti.com/.../1325.SUPPORT_5F00_CAPTURES-_2300_2-SINGLE-MOSFET-CONFIG-_5F00_2RGATE.rar

电流 MOSFET 为：

NTMFS008N12MCT1G、  33 nC

 

我们要测试的下一个 MOSFET

FDMS86183 14nC

使用10R 和2个并联 MOSFET 时、栅极波形要好得多、反射可能是原因

e2e.ti.com/.../2664_2E00_.3SUPPORT_5F00_CAPTURES-_2300_2-DUAL-MOSFET-CONFIG-_5F00_10RGATE.rar

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在我看来、VCC 稳压器不够强大、但可以发挥作用

是否有任何想法要使转换速度更快并减少开关松动？

VCC 电容器和升压电容器的尺寸是否合适？

如果没有您的反馈、我无法继续

Stefan、您好、请查看 0|1|2|3个附件  

在我看来、VCC 稳压器不够强大、但可以发挥作用

是否有任何想法要使转换速度更快并减少开关松动？

VCC 电容器和升压电容器的尺寸是否合适？

伊格纳西奥、您好！

当您检查布局时、您会看到 LM5122与 MOSFET 栅极之间的连接非常长、而且线宽也更小。

这会产生高电感、并与栅极电容一起产生您在信号上看到的振铃。

需要针对布局对此进行优化。

此外、对于单相设计、您当前的这一功率级别也相当高。 您是否已经计算了预期的损耗？

此致、

 斯特凡

斯特凡谢谢你

我同意您关于门信号螺母长度的看法、我将使用受控阻抗和参考平面制造4层、并降低环路控制

您是否具有目标电感、电容或阻抗值？

1.是否可以将外部 VCC (11V)和二极管放在11V 电源和 VDD 之间?

2.如果这不起作用,我可以放置外部闸极驱动器吗?

3.您能检查一下 VBST 的值吗?, 根据数据表,对于33nC 220nF 是足够的

4.我应该将 HS 并联肖特基用于死区时间损耗

我想通过这种单相设计提供72V 12A (864W)电流

伊格纳西奥、您好！

在我看来、一相进行900W 设计是不可能的-至少在没有主动冷却的情况下是不可能的。

因此、请计算 MOSFET 内需要处理的损耗以及预期的冷却和温度升高量。

更好地回答您的问题：

1：VCC 额定电压为15V 最大值-因此11V 允许从外部提供

3：220nF 应该可以

4：放置并联肖特基二极管时、还需要考虑它们的反向恢复电荷。 因此、要查明您需要对损耗进行数学计算。

您是否了解 功率级设计器设计工具| TI.com

这可以为您提供很多帮助、

此致、

 斯特凡

斯特凡

  

·海 不采用主动冷却的情况下、单相、完美布局和4个 FDMS86183 MOSFET、4.7uH、350kHz 有何限制？ 您认为

斯特凡 

  

·海 非常感谢 今天、我将为这个 A-Sample 打补丁： 1.DGD0227 (diodes.com)驱动器、其 VCC 11V 非常接近 MOSFET、可通过短路控制信号来降低环路电感 2. 220nF 升压电容 3.不同的 MOSFET 器件型号 4. Heatshink 5.在开始双相之前、我将使用具有辅助栅极驱动器的3xparallel MOSFET 制作 b 样片 我会让您了解最新信息