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您好!
我尝试以10ns 死区时间、32V 输入电压和空载运行 EVK @ 100kHz。 这会导致170mA 的电流消耗、并且电感器在几分钟后变得非常热115°C。
这是否正常? 我们选择了 GaN、因为其开关损耗较低、但这 种损耗似乎与常规 MOSFET 中没有看到的损耗一样多。
我们更换了 LMG5200、以防它出现故障、但无效
非常感谢您提供任何帮助或解释、
此致
约翰·勒罗伊
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您好!
我尝试以10ns 死区时间、32V 输入电压和空载运行 EVK @ 100kHz。 这会导致170mA 的电流消耗、并且电感器在几分钟后变得非常热115°C。
这是否正常? 我们选择了 GaN、因为其开关损耗较低、但这 种损耗似乎与常规 MOSFET 中没有看到的损耗一样多。
我们更换了 LMG5200、以防它出现故障、但无效
非常感谢您提供任何帮助或解释、
此致
约翰·勒罗伊
尊敬的 Johan:
感谢 您关注 TI GaN 评估。 为了更好地了解情况并准确地诊断问题、您能否提供以下信息?
1. 介绍测试设置、包括 J1、J2、J3和 J5处的连接。 您可以查看 用户指南的第9-11页 、以确保所有内容均已正确连接。
2.对死区时间生成电路所做的修改列表,或对电路板所做的任何其他更改。
有了这些信息、我们可能会更好地了解可能会出现的问题。
此致、
约翰