This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1250777/lm5141-sw-ring
我增加了 HS 关断电阻器、为什么还可以减少 SW 振铃。 SW 振铃是否与高侧 MOSFET 关断速度相关？
您好、Cassius： 请发布您的原理图、I/O 值、负载和任何相关波形的图片。 谢谢
您好、Cassius：
请查看以下应用手册以了解开关节点振铃的更多详细信息：
www.ti.com/lit/snva803
www.ti.com/lit/slyt682
关键的是输入电容器的放置(相对于 FET)、从而更大限度地减小电源环路寄生电感。
此致、
时间
我将 Rhoff 从10Ω 更改为0Ω、SW 电压从19V 更改为17.8V
如果您讨论的是前沿振铃(SW 电压的上升沿)、那么它应该与 HO 导通电阻相关。 HO 关断电阻可设置关断速率。
请注意、您可以将低侧栅极电阻器设置为0Ω(尤其是 LO 导通电阻器)。 您在这里使用什么 FET？
仅供参考、我在此附上了具有特别低的开关振铃的高密度2.1MHz 设计。 请注意幻灯片7上的电容器放置(1210和0402)以及幻灯片21中所示的层堆叠。
e2e.ti.com/.../LM25141_2D00_Q1-15A_2C00_-2.1MHz-high_2D00_density-design.pdf
