[参考译文] UCC28C43-Q1：用于 C3M0120065D MOSFET 的外部电流缓冲器电路设计

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器件型号：UCC28C43-Q1

大家好、

我参考了以下使用 SiC MOSFET @ 400kHz 频率的反激式转换器设计原理图。此圆圈部分、即外部电流缓冲器电路专为 C2M1000170D 设计。

问题1：如果我在400kHz 频率下使用 C3M0120065D MOSFET、而不是 C2M1000170D、最大占空比为45%。此圈出部分对于任何 MOSFET 是否相同？如何为该低驱动电流控制器(UCC28C43QDRQ1)的所选 MOSFET 设计外部电流缓冲器电路。

问题2. 在圈出的部分中、我知道 Q13和 Q16用于外部电流缓冲器电路。该电路中 Q19和 Q20的用途是什么。如何为 C3M0120065D 设计圈出部分中的所有元件。

请做必需的。

此致

乌马马赫斯瓦拉罗

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Umamaheswararo：

对于 Q1来说、答案是 SiC FET 没有比标准硅 FET 具有更高的栅极电压。因此、对于标准硅 FET 来说、不需要

对于 Q2、Q13和 Q16增强了栅极驱动能力。

请注意、我们发布了新系列 UCC28C56-9 、它具有经优化可直接驱动 SiC FET 的 UVLO。

我希望这可以解答您的问题

0 admin 2 年多前

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您好！

我不清楚、

对于400kHz 频率、我是否可以使用 C3M0120065D MOSFET 而不是 C2M1000170D。

Q19和 Q20的用途是什么以及如何选择这些 FET。

此致

乌马马赫斯瓦拉劳

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Umamaheswararao：

C2M1000170D 具有以下 Vgs 绝对最大额定值：

C3M0120065D 的绝对最大额定值具有以下 Vgs：

因此、您需要调整齐纳钳位 D30和 D32、以确保不违反 C3M0120065d 的绝对最大 Vgs 额定值。

我希望这可以回答您的问题。

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