大家好、
我们已针对我们的应用对单个 SiC MOSFET 使用了 UCC21710-Q1。 现在、我们计划对 2个并联 SiC MOSFET (G3R30MT12K)使用相同的 IC。 此 IC 能否用于 2个并联 SiC MOSFET？
请提供您是否有任何 使用 UCC21710-Q1实现2个并联 SiC MOSFET 运行的参考设计。
谢谢。此
致、 乌马马赫斯瓦拉劳
Pratik、您好！
感谢您的答复。
您 在链接中提到过、基于 BJT 的电流缓冲器用于栅极驱动和米勒电路 、以蓝色圆圈突出显示、如下所示、供您快速参考。
根据 UCC21710-Q1的数据表、峰值驱动强度为+/-10A。
1.根据我的不足、如果我使用10Ω 外部 栅极电阻器、两个 SiC 10Ω 所需的驱动电流为2*((15V+5V)/MOSFET)= 4A。 因此、 UCC21710-Q1 IC 可用于驱动两个 MOSFET、而无需使用 基于外部 BJT 的电流缓冲器；如果我的假设有误、请更正我的问题。 请解释 为什么 需要栅极驱动电流升压电路、
2. 根据 UCC21710-Q1的数据表、4A 内部有源米勒钳位。 为什么我们需要外部钳位电路。 如何计算该米勒钳位所需的额定电流。 请提供设计过程。
谢谢。此
致、 乌马马赫斯瓦拉劳
尊敬的 Umamaheswararao：
回答1。 是的、如果两个 SiC MOSFET 所需的驱动电流都小于峰值驱动能力、我认为您不需要外部电流缓冲器。
答2。 要为两个 SiC MOSFET 实现相同的 Clampi 引脚、您必须将两个栅极端子短接在一起、这可能会导致振铃传播等问题。 因此、建议使用单独的 FET 来钳制其中一个 FET 的另一个栅极端子。 如果4A 电流不足、可以使用外部米勒钳位、如下图所示：
希望这对您有所帮助
此致！
普拉蒂克
