[参考译文] TPS54873：TPS54873输出电压在瞬间升高约1V、并在器件启动时拉至 GND。

尊敬的和屋山：

感谢您提供您的波形。  这个测试是在 EVM 上还是在他们自己的电路上进行的？  您能否发送原理图？

如果可以、最好以较小的时间刻度查看短脉冲。  它们是否能够在50usec/div 条件下获取另一个波形并添加 PH 节点？

谢谢。

克里斯

尊敬的和屋山：

感谢您发送原理图。

这是 TPS54873 (在启动期间不灌入电流)和 TPS54810 (在启动期间灌入电流)之间的区别。  TPS54873在其 D/S 中有以下额外说明：  

启动期间禁用灌电流(DSDS)。DSDS 特性可在启动时实现输出预充电电容器的最小压降。 TPS54873被设计成禁用低侧 MOSFET、以防止在启动期间从预充电输出电容器灌入电流。 一旦高侧 MOSFET 被接通至最大占空比限值、低侧 MOSFET 便可开关。 一旦满足最大占空比条件、转换器就会用作源转换器、直到 SS/ENA 被拉至低电平。

TPS54873典型应用电路还显示了(可选)二极管、这些二极管会从输入电压对输出电压进行预充电。  这款已有20年历史的 IC 设计旨在有意顺利启动至预偏置输出(无需将其拖低至0V)。   

最大占空比运行可能是造成 Vout 尖峰的原因。  您可以使用更短的时间刻度来测量相同的波形、以便了解在开始切换后占空比的降低速度。

我认为可通过增加输出电容量来减少该 Vout 过冲。  这样应该会吸收多余的能量、而电压增加较少。

最后、最好迁移到更新的系列、例如6A TPSM82866A 模块(或 TPS62867分立式)或6A/9A/12A/15A TPS62873/0。

克里斯