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[参考译文] TPS54873:TPS54873输出电压在瞬间升高约1V、并在器件启动时拉至 GND。

Guru**** 1706760 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54673, TPS62873, TPS54873, TPS54810, TPSM82866A, TPS62867
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1247179/tps54873-tps54873-output-voltage-is-raise-about-1v-at-a-momentary-and-pulled-to-gnd-when-the-device-is-started-up

器件型号:TPS54873
主题中讨论的其他器件: TPS54810、TPS54673、 TPSM82866ATPS62867、TPS62873

大家好!

我的一个客户正在评估 TPS54873作为 TPS54810的替代器件。
他们在评估中发现、 TPS54873输出电压瞬时升高约1V、然后在器件启动后拉至 GND。
我连接了波形。 请看一下。
在 TPS54810情况下未观察到这种现象。

此外、我们还可以在 TPS54673 EVM 用户指南中的图2–17中看到类似的波形。
https://www.ti.com/jp/lit/ug/slvu079/slvu079.pdf

此时、他们有以下问题。
请你给我答复吗?

问题1: 为什么会发生这种现象?

问题2. 这种现象是否是 TPS54873的特性?

问题3: 有没有办法消除这种现象?

非常感谢您的答复。

和也。

e2e.ti.com/.../Startup.pdf

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    尊敬的和屋山:

    感谢您提供您的波形。  这个测试是在 EVM 上还是在他们自己的电路上进行的?  您能否发送原理图?

    如果可以、最好以较小的时间刻度查看短脉冲。  它们是否能够在50usec/div 条件下获取另一个波形并添加 PH 节点?

    谢谢。

    克里斯

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    Chris、您好!

    非常感谢您的答复。

    我有客户原理图。
    但他们不想在 E2E 上披露原理图。
    您能给我一个电子邮件地址吗? 我想在离线时与您讨论这个问题。

    再次感谢大家、此致、
    和也。

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    尊敬的和屋山:

    感谢您发送原理图。

    这是 TPS54873 (在启动期间不灌入电流)和 TPS54810 (在启动期间灌入电流)之间的区别。  TPS54873在其 D/S 中有以下额外说明:  

    启动期间禁用灌电流(DSDS)。DSDS 特性可在启动时实现输出预充电电容器的最小压降。 TPS54873被设计成禁用低侧 MOSFET、以防止在启动期间从预充电输出电容器灌入电流。 一旦高侧 MOSFET 被接通至最大占空比限值、低侧 MOSFET 便可开关。 一旦满足最大占空比条件、转换器就会用作源转换器、直到 SS/ENA 被拉至低电平。

    TPS54873典型应用电路还显示了(可选)二极管、这些二极管会从输入电压对输出电压进行预充电。  这款已有20年历史的 IC 设计旨在有意顺利启动至预偏置输出(无需将其拖低至0V)。   

    最大占空比运行可能是造成 Vout 尖峰的原因。  您可以使用更短的时间刻度来测量相同的波形、以便了解在开始切换后占空比的降低速度。

    我认为可通过增加输出电容量来减少该 Vout 过冲。  这样应该会吸收多余的能量、而电压增加较少。

    最后、最好迁移到更新的系列、例如6A TPSM82866A 模块(或 TPS62867分立式)或6A/9A/12A/15A TPS62873/0。

    克里斯

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    Chris、您好!

    非常感谢您的答复。
    对客户和我都很有帮助。
    我还将介绍  TPSM82866A 模块和 TPS62873/0。

    再次感谢大家、此致、
    和也。